我们介绍了工作电压低于20 V的薄倍增层InAlAs / InGaAs雪崩光电探测器（APD）的性能。通过改变雪崩区域的电场分布，成功地定制了它们的工作电压，增益电压斜率和暗电流。 薄的倍增层APD在220 K以上的温度下显示暗电流的小活化能，范围从0.12到0.19 eV，这表明在该温度范围内，带-带-隧穿显性暗电流机制。 在低于175 K的温度下，暗电流显示出非常弱的温度依赖性，这主要来自于带间隧穿和表面泄漏电流。 这些APD的光谱响应度在大于1的增益因子上显示出异常的负温度系数，这归因于较

我们介绍了工作电压低于20 V的薄倍增层InAlAs / InGaAs雪崩光电探测器（APD）的性能。通过改变雪崩区域的电场分布，成功地定制了它们的工作电压，增益电压斜率和暗电流。 薄的倍增层APD在220 K以上的温度下显示暗电流的小活化能，范围从0.12到0.19 eV，这表明在该温度范围内，带-带-隧穿显性暗电流机制。 在低于175 K的温度下，暗电流显示出非常弱的温度依赖性，这主要来自于带间隧穿和表面泄漏电流。 这些APD的光谱响应度在大于1的增益因子上显示出异常的负温度系数，这归因于较