在对纳米器件进行电流-电压（I-V）脉冲特征分析时通常需要测量非常小的电压或电流，因为其中需要分别加载很小的电流或电压去控制功耗或者减少焦耳热效应。这里，低电平测量技术不仅对于器件的I-V特征分析而且对于高电导率材料的电阻测量都非常重要。

在对纳米器件进行电流-电压（I-V）脉冲特征分析时通常需要测量非常小的电压或电流，因为其中需要分别加载很小的电流或电压去控制功耗或者减少焦耳热效应。这里，低电平测量技术不仅对于器件的I-V特征分析而且对于高电导率材料的电阻测量都非常重要。利于研究人员和电子行业测试工程师而言，这一功耗限制对当前的器件与材料以及今后器件的特征分析提出了巨大的挑战。

针对纳米器件的脉冲I-V测试小技巧[图],在对纳米器件进行电流-电压（I-V）脉冲特征分析时通常需要测量非常小的电压或电流，因为其中需要分别加