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搜索资源列表

  1. FM25L16铁电存储器与F020读写

  2. FM25L16铁电存储器与F020读写 unsigned char SpiReadWrite(unsigned char c) { SPIF = 0; SPI0DAT = c; while (SPIF == 0); return SPI0DAT; } /* unsigned char FMRead(unsigned int addr) { unsigned char b; fm0(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); SpiReadWri te(EE_R

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-06-05
    • 文件大小：2048
    • 提供者：hyuming2002

  1. FM24C04读写程序

  2. 经过验证，可以使用。 FM24C04可以使用于FM24XX04的所有铁电存储器，使用IO口进行模拟，稍加修改可以应用于所有MCU.

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-12-14
    • 文件大小：2048
    • 提供者：hustchenjing

  1. 一个EEPROM铁电读写程序

  2. 一个EEPROM铁电读写程序 针对ATM29C04

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-12-23
    • 文件大小：11264
    • 提供者：lossage

  1. FM3130的读写程序

  2. FM3130的读写程序，包括同步和异步读写接口，运行稳定。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-04-08
    • 文件大小：5120
    • 提供者：boboboblog

  1. SPI接口FM25CL64铁电存储器测试读写代码

  2. SPI接口FM25CL64铁电存储器测试读写代码,在PICC18上编译通过.如果有任何疑问,可以联系我来解答.QQ52478116

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-01-11
    • 文件大小：3072
    • 提供者：lcc8559

  1. FM25H20读写程序

  2. 通过SPI总线对FM25H20进行读写的程序，已经用C80581F020调试通过，本程序同样适合TI的flash芯片，端口请自行配置。交流可加群19481784

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2011-03-11
    • 文件大小：3072
    • 提供者：yz10011216

  1. stm32 模拟读写 铁电fm25cl64

  2. stm32 模拟读写 铁电fm25cl64 stm32 模拟读写 铁电fm25cl64 stm32 模拟读写 铁电fm25cl64 stm32 模拟读写 铁电fm25cl64 stm32 模拟读写 铁电fm25cl64

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2011-04-01
    • 文件大小：773
    • 提供者：wutihasasuke

  1. SPI读写EEPROM

  2. SPI EEPROM 铁电 通过模拟SPI的时钟，读写EEPROM

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-04-21
    • 文件大小：907
    • 提供者：dgmars19841123

  1. c8051f120与SPI接口 MCP42100数字电位器及FM25L04铁电读写程序

  2. C8051F120用SPI口读写铁电，铁电芯片为FM24CL04，可兼容FM25CL64，绝对好使。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-03-15
    • 文件大小：3072
    • 提供者：risk1005

  1. lpc2200系列 2294等IIC读写程序 eeprom 铁电等

  2. lpc2200系列 2294等IIC读写程序 eeprom 铁电等 已经完善，绝对可用，加载好头文件，直接调用相关函数就可以。太缺分了，我也不想设置这么高，唉

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2013-04-12
    • 文件大小：12288
    • 提供者：u010197810

  1. FM25V02 铁电驱动程序

  2. 基于LPC2387芯片的铁电驱动，各项功能都已经调通，实现连续读写功能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2013-10-29
    • 文件大小：654336
    • 提供者：lvao_qm

  1. 铁电的读写程序

  2. 富士通的M3控制板，使用硬件IIC读取铁电

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2013-11-28
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：lsq793729826

  1. mb85铁电存储器C例程

  2. mb85系列铁电存储器C程序，读写。可以应用任何嵌入式系统应用

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2015-04-07
    • 文件大小：10240
    • 提供者：jpx001

  1. 模拟IO口驱动FM25V05铁电的驱动程序

  2. 模拟IO口驱动FM25V05铁电的驱动程序 本人用的是瑞萨的RX600系列的芯片写的。实测可以读写正常。移植到其它单片机只需要修改相关IO口和延时即可。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2016-08-12
    • 文件大小：2048
    • 提供者：u012260580

  1. 铁电FM33256的读写，时钟校正，看门狗程序

  2. 程序中对33256进行单字节的读写，按页读写，读写时序分析，及电子表的月，日，小时.分.秒计算读写程序

  3. 所属分类：C

  1. 铁电复合薄膜中的印记效应

  2. 铁电复合薄膜中的印记效应，罗晓雅，朱国栋，铁电薄膜中的印记效应会引起铁电存储器的读写错误。本文制备聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/二氟乙烯与三氟乙烯共聚物[P(VDF-TrFE)]复合材料，�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-25
    • 文件大小：387072
    • 提供者：weixin_38519681

  1. 消费电子中的铁电材料或可实现超高密度信息存储

  2. 相关媒体从中国科学院金属研究所获悉，该所研究员马秀良研究团队与合作者在铁电材料中发现通量全闭合畴结构，或让铁电材料实现超高密度信息存储。 　　铁电材料是指在外加电场的作用下，其电极化方向可以发生改变的一类材料，如钛酸铅、钛酸钡等材料。铁电存储器具有功耗小、读写速度快、寿命长与抗辐照能力强等优点，但是不能做到非常小的存储单元，很难达到高密度存储的需求。 　　马秀良研究团队提出一种克服铁电材料自发应变，通过引入外加应变来克服铁电材料自身的晶格畸变。 　　“晶格畸变就是指晶格的变形。”马秀良说，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38732811

  1. 模拟技术中的探讨铁电存贮器FRAM技术原理与应用

  2. 1 引言 　　美国Ramtron公司铁电存贮器（FRAM）的核心技术是铁电晶体材料．这一特殊材料使得铁电存贮产品同时拥有随机存取记忆体(RAM) 和非易失性存贮产品的特性。　　铁电晶体材料的工作原理是：当我们把电场加载到铁电晶体材料上时，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，最后到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个记忆逻辑中的0，另一个记亿1。该中心原子能在常温且没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。因此，铁电记忆体不需要定时刷新便能在断电情况下保存数据。　　由于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38691703

  1. 铁电 EEPROM FM24C512D I2C协议代码.zip

  2. 铁电EEPROM初始化及读写接口，亲测可用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：2048
    • 提供者：qq_37711405

  1. 基于铁电存储器工作原理和器件结构

  2. 1 铁电存储器简介 　　随着IT技术的不断发展，对于非易失性存储器的需求越来越大，读写速度要求越来越快，功耗要求越来越小，现有的传统非易失性存储器，如EEPROM、FLASH等已经难以满足这些需要了。 　　传统的主流半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器包括静态存储器SRAM(Static Random Access Memory)和动态存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。RAM类型的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：227328
    • 提供者：weixin_38685961
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