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  1. 铁电随机存取存储器

  2. FRAM是半导体技术的新发展。顾名思义，FRAM不像RAM那样的易失性。相反，它不需要用电源来保持数据。在FRAM里是利用铁电材料的特性来存储数据的，结构与EEPROM的结构相类似，而只是在控制栅和浮动栅之间具有铁电物质，FRAM单元的剖视图见1所示。 　　图1 以0.5μm技术制造的FRAM单元的剖视图（左边的两个浅色的矩形是在半导体　　表面的控制引线；右边的水平矩形是实际的FRAM单元，在两个电极之间看到的　　暗层是铁电材料。PRAM单元的宽度大约为2μm，由富士通公司提供） 　　F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：86016
    • 提供者：weixin_38586186

  1. 汽车电子中的Ramtron扩展其用于引擎罩下的Grade 1汽车F-RAM存储器产品

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其符合Grade 1 AEC-Q100 规范的汽车存储器产品系列，新增一款4Kb F-RAM存储器，使其符合125℃应用的产品增至五款。FM25040A-GA 是4Kb、5V F-RAM，具有高速串行外设接口(SPI)，并合乎125℃工作规范要求，保证在极端温度条件下可保持数据达9,000小时。FM25040A-GA具有快速写入、几乎无限次的擦写次数及低功耗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38673738

  1. 汽车电子中的Ramtron64千位串行F-RAM存储器达到汽车电子AEC-Q100标准

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品，FM24CL64 64千位 (Kb) 串行F-RAM已通过认证，可在 -40至 +85℃ 的Grade 3汽车温度范围内使用。FM24CL64是Ramtron不断扩充的通过Grade 1 (+125℃) 和Grade 3 AEC-Q100认证的汽车存储器产品的一部分。 　　FM24CL64已设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38742656

  1. Ramtron推出2兆位并行存储器产品FM21L16

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出2兆位并行存储器产品，进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有访问速度快、NoDelay无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。FM21L16与异步静态RAM(SRAM)管脚兼容，其目标应用是以SRAM为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。        F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38650516

  1. RAMTRON扩展VERSA 8051系列推出2KB铁电存储器MCU

  2. 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。       

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：97280
    • 提供者：weixin_38643141

  1. 汽车电子中的RAMTRON推出新型+125℃汽车铁电存储器

  2. 非易失性铁电随机存取存储器 (FRAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其Grade 1 FRAM汽车存储器产品系列，推出新一款符合+125℃工作范围要求的串行FRAM器件。这款3V、64Kb的FRAM器件FM25CL64-GA具有高速串行外设接口 (SPI) — 现符合Grade 1 AEC-Q100 的规范要求，适用于汽车发动机周边和乘客舒适性设备。为了配合这项产品发布，Ramtron 已将其Grade 1运行数据保持时间

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38676851

  1. Ramtron最新并行存储器FM21L16具备2Mb非易失性RAM

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出2兆位并行存储器产品，进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有访问速度快、NoDelay无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。FM21L16与异步静态RAM(SRAM)管脚兼容，其目标应用是以SRAM为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。 　　FM21L1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38713717

  1. 汽车电子中的Ramtron扩展+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，推出新品FM25L04-GA

  2. 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求，可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作，并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。 　　FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38752907

  1. 带有铁电随机存取存储器的高精度实时时钟所具备的优势

  2. 1概述       随着DS32X35系列产品的发布，DallasSemi-conductor公司提供了无需电池的非易失存储器。这些器件采用铁电随机存取存储器(FRAM)技术，FRAM是非易失存储器，其读／写操作与RAM类似。该系列器件能够可靠地将数据保持10年之久，与EEPROM和其他非易失存储器不同的是：它不需要考虑系统复杂性、过度开销以及可靠性等问题。从1992年出现第一块FRAM至今，铁电随机存取存储技术已趋于成熟。       2非易失存储器       目前，非易失存储技术主

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38563871

  1. RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器VRS51L307

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。     Ramtron战

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38733245

  1. RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器VRS51L3072

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 　　Ramt

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：91136
    • 提供者：weixin_38628429

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的RAMTRON推出2KB铁电微控制器 VRS51L3072

  2. 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 　　Ramtron

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38685882

  1. RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器

  2. 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 　　Ramtro

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：77824
    • 提供者：weixin_38737366

  1. RAMTRON发布2KB铁电存储器微控制器VRS51L3072

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 　　Ramtron战略市场

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38722348

  1. RAMTRON发布2KB铁电存储器微控制器

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 　　Ramtron战略市场拓展经理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38569109

  1. 汽车电子中的RAMTRON推出+125℃汽车铁电存储器，全面提升GRADE 1产品规范

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation扩展其Grade 1 FRAM汽车存储器产品系列，推出新一款符合+125℃工作范围要求的串行FRAM器件。这款3V、64Kb的FRAM器件FM25CL64-GA具有高速串行外设接口(SPI) — 现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求，适用于汽车发动机周边和乘客舒适性设备。为了配合这项产品发布，Ramtron已将其Grade 1运行数据保持时间规范升级到

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38540782

  1. Fimicro推出4兆位铁电存储器的单板计算机

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RAMTRON宣布德国嵌入式软件和硬件供应商Fimicro已在Active104新系列单板计算机以及智能I/O扩展模块中采用非易失性铁电存储器。FimicroO已将RAMTRON的FM22L16- 4兆位并行存储器整合入Active104的单板计算机，RAID，以太网和USB板。标志着F-RAM已经取代Flash, SRAM和 EEPROM技术，其非易失性，NoDelay无写等待、无限次读/写等特点是保证数据完整性最理想的方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38610657

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器VRS51L307...

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM以8051为基础的微控制器(MCU)-VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择，包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。     Ramtron

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38592332

  1. 基于HfO2的高度稳定的辐射免疫铁电存储器

  2. 在这封信中，首次在辐射条件下研究了具有金属-绝缘体-金属结构的基于HfO2的铁电随机存取存储器（FeRAM）。 掺Y的基于HfO2的FeRAM器件对60Coγ射线辐射显示出高度的抵抗力。 FeRAM的基本参数（例如漏电流，介电常数，剩余极化强度，耐久性和疲劳性）在γ射线辐射后的总剂量高达12.96 Mrad（SI）时几乎没有降解。 此外，铁电磁滞回线在辐射后没有变形。 掺Y的HfO2 FeRAM器件在辐射下的高稳定性证明了它们在核和航空航天应用中的巨大潜力。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：820224
    • 提供者：weixin_38614484

  1. 带有铁电随机存取存储器的高精度实时时钟所具备的优势

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-01
    • 文件大小：488448
    • 提供者：weixin_38646914
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