制造了使用沉积在硅片上的SiO2介电层的底部接触有机薄膜晶体管（OTFT），用于气体传感器应用。 酞菁铜（CuPc）用作OTFT器件的有源层，以测试该器件的电流-电压特性和气敏特性。 当器件在室温下暴露于硫化氢（H2S）气氛中时，在适当的栅极电压和漏极电压下，源极-漏极电流在几分钟之内发生变化。 研究了传感特性对绝缘层厚度的依赖性。 结果表明，与其他基于125 nm和300 nm绝缘层的器件相比，具有195 nm绝缘层的器件表现出最佳的电子和感测性能。