在本文中，我们演示了一种具有嵌入铝（2）O（3）高k电介质中的铝纳米晶体（Al-NCs）的电荷捕获存储器。 与金属/ Al（2）O（3）/ SiO（2）/ Si结构相比，该器件具有更大的存储窗口（+/- 12 V时为6.7V），更快的编程/擦除速度和良好的耐久性。 特别是，无论是在室温下还是在高温下（最高150摄氏度），数据保存都得到了极大的改善。 结果表明，具有在Al（2）O（3）膜中嵌入Al-NC的设备具有强大的潜力，可用于未来的高性能非易失性存储器应用。