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  1. RFID技术中的锐迪科微电子针对2.4GHz ISM应用推出新一代射频前端模块

  2. 锐迪科新推出的RDAT212是针对2.4GHz ISM无线应用的新一代射频前端模块，具有高集成度，高线性度、高效率的特点，将会在手机蓝牙，802.11.b/g扩展以及各类工业应用中大有可为。同时，RDAT212还支持Bluetooth 2.0的高速率应用。  　　RDAT212射频前端模块内集成的功率放大器PA采用砷化镓异质结双极晶体管GaAs HBT工艺制造、低噪声放大器LNA和天线开关Switch采用增强型高电子迁移率场效应晶体管E-PHEMT工艺制造，保证了产品的优良特性。在封装设计上，采

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38636983

  1. 锐迪科推出2.4GHzISM射频前端模块

  2. 锐迪科微电子宣布推出首款 2.4GHz ISM 射频前端模块。随着国内客户对锐迪科（RDA）RDAT212 功能测试的肯定，标志着首款具有完全自主知识产权的支持 2.4GHz ISM 无线频段的RF模块即将量产。  　　锐迪科新推出的RDAT212就是针对 2.4GHz ISM 无线应用的新一代射频前端模块，具有高集成度,高线性度、高效率的特点，将会在手机蓝牙, 802.11.b/g 扩展以及各类工业应用中大有可为。同时，RDAT212 还支持 Bluetooth 2.0 的高速率应用。   　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38638688

  1. RFID技术中的2.4GHz ISM射频前端模块的设计及应用

  2. 2.4GHz工业 科学 医疗设备(ISM)是全世界公开通用使用的无线频段，蓝牙( Bluetooth)、 Wi-Fi、 ZigBee等短距离无线数据通信均工作在2.4GHz ISM频段。 　　 针对2.4GHz ISM频段无线应用，锐迪科微电子公司推出了RDAT212射频前端模块。T212芯片集成了功率放大器( PA)、低噪声放大器( LNA)、天线开关(Antenna Switch)和功率检测器(Power Detector)，并特别增加PA带通及LNA带通的省电功能，内部还针对天线端做了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38691669

  1. 锐迪科推出首款 2.4GHz ISM射频前端模块

  2. 随着国内颇具影响力的客户对锐迪科（RDA）RDAT212 功能测试的高度肯定，标志着首款具有完全自主知识产权的支持 2.4GHz ISM 无线频段的RF模块即将量产。此前，锐迪科微电子已经积累了量产多款PA的丰富经验，RDAT212 的推出势必进一步增强锐迪科PA产品系列的竞争力。 　　 　　2.4GHz ISM（工业 科学 医疗设备）是全世界公开通用使用的无线频段，Bluetooth，Wi-Fi，ZigBee 等短距离无线数据通信均工作在 2.4GHz ISM 频段。 　　 　　锐迪

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38733733

  1. RFID技术中的锐迪科推出首款 2.4GHz ISM 射频前端模块

  2. 随着国内颇具影响力的客户对锐迪科（RDA）RDAT212 功能测试的高度肯定，标志着首款具有完全自主知识产权的支持 2.4GHz ISM 无线频段的RF模块即将量产。此前，锐迪科微电子已经积累了量产多款PA的丰富经验，RDAT212 的推出势必进一步增强锐迪科PA产品系列的竞争力。 　　2.4GHz ISM（工业 科学 医疗设备）是全世界公开通用使用的无线频段，Bluetooth，Wi-Fi，ZigBee 等短距离无线数据通信均工作在 2.4GHz ISM 频段。 　　锐迪科新推出的RDA

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38681082

  1. RFID技术中的锐迪科微电子推出首款2.4GHz ISM射频前端模块

  2. 锐迪科新推出的RDAT212是针对2.4GHz ISM无线应用的新一代射频前端模块，具有高集成度，高线性度、高效率的特点，将会在手机蓝牙，802.11.b/g扩展以及各类工业应用中大有可为。同时，RDAT212还支持Bluetooth 2.0的高速率应用。     RDAT212射频前端模块内集成的功率放大器PA采用砷化镓异质结双极晶体管GaAs HBT工艺制造、低噪声放大器LNA和天线开关Switch采用增强型高电子迁移率场效应晶体管E-PHEMT工艺制造，保证了产品的优良特性。在封装设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38689736