摘要：本文设计的振动传感器是一种利用锑化铟-铟（InSb-In）共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器。与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比，这种传感器的灵敏度更高、频率响应范围更宽。经实测，其提供的电信号的信噪比大于60dB。这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等。关键词：InSb-In；共晶体薄膜；磁阻效应；振动传感器 一、引言近些年来，随着科学技术的飞速发展，特别是微电子加工技术，微型计算机技术，信息技术和材料技术的发展，使得综合