近来人们广泛地研究在激光作用下注入半导体中所产生的结构变化。研究者主要力量集中研究注入层从非晶态向晶态的过渡,以及离子注入时产生的辐射破坏的激光退 火。本质的问题是，激光辐射引起半导体的参数变化是多种不同退火机理作用的结果。下面我们给出锗的点缺陷激光退火数据，显然,这些结果可以用离化激活缺陷作用的假设得到解释。