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  1. Cisco常用单词词典

  2. F FCS 桢校验序列，是额外加入到桢中用于差错控制的字符。用于HDLC、桢中继和其他数据链路层协议中。 FDDI 分布式光线数据接口。是ANSI X3T9.5种定义的一种LAN标准，对使用光缆的100Mbit/s令牌传递网络进行了规范，这种网络最大的传输距离是2km。FDDI使用双环架构，以提供冗余。 闪存（flash） 闪存是一种特殊的EEPROM（可电擦除可编程只读存储器），它可以一次性被全部擦除和重写而不是一次一个字节。许多现代PC都将BIOS存储在闪存中，以便必要时可以很容易地更新。

  3. 所属分类：iOS

    • 发布日期：2009-06-22
    • 文件大小：506880
    • 提供者：kehuaa

  1. 计算机组成原理自测试题库

  2. 本科生期末试卷（一） 一、选择题（每小题2分，共30分）   1  从器件角度看，计算机经历了五代变化。但从系统结构看，至今绝大多数计算机仍属于（  ）计算机。     A  并行    B  冯·诺依曼    C  智能    D  串行   2  某机字长32位，其中1位表示符号位。若用定点整数表示，则最小负整数为（  ）。     A  -(231-1)    B  -(230-1)    C  -(231+1)    D  -(230+1)   3  以下有关运算器的描述，（  ）是正

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-06-13
    • 文件大小：384000
    • 提供者：u011054376

  1. 计算机组成原理本科生模拟试卷01

  2. 一、选择题（每小题1分，共15分） 1 从器件角度看，计算机经历了五代变化。但从系统结构看，至今绝大多数计算机仍属于（ ）计算机。 A 并行 B 冯•诺依曼 C 智能 D 串行 2 某机字长32位，其中1位表示符号位。若用定点整数表示，则最小负整数为（ ）。 A -(231-1) B -(230-1) C -(231+1) D -(230+1) 3 以下有关运算器的描述，（ ）是正确的。 A 只做加法运算 B 只做算术运算 C 算术运算与逻辑运算 D 只做逻辑运算 4 EEPROM是指（ ）。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2008-12-09
    • 文件大小：51200
    • 提供者：future831

  1. 计算机组成原理考研纲要

  2. 8.存储器的基本知识 (1)性能指标：存储容量、存取时间、存储周期、存储器带宽。 (2)存储介质主要为：半导体器件（内存）和磁性材料（外存） ①按存储介质分为磁表面存储器，半导体存储器，光存储器 (3)包括：主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。 (4)易失性RAM，非易失性ROM,FLASH（闪存） (5)多级存储体系结构：寄存器+高速缓冲存储器+主存储器+外存储器。即Cache+主存+辅存，以满足对存储系统的“容量大、速度快、成本低”要求 (6)ROM分为：ROM只读存储器、

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-07-17
    • 文件大小：252928
    • 提供者：destiny_forever

  1. 一款由89C2051设计的电子钟

  2. 本电路采用89C2051单片机设计硬件电路如图1所示。AT89C2051具有2k字节闪速可编程可擦除只读存储器（FLASH EEPROM）和128bytes的随机存取数据存储器（RAM），可重复擦写10000次，数据保存时间10年，工作电压范围：2.7V～6V，工作频率：0～24MHz，15根可编程I／0引线，2个16位定时器／计数器，一个5向量两级中断结构.......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-27
    • 文件大小：710656
    • 提供者：weixin_38630358

  1. 单片机与DSP中的一款由89C2051设计的电子钟

  2. 一、电路原理 　　本电路采用89C2051单片机设计硬件电路如图1所示。AT89C2051具有2k字节闪速可编程可擦除只读存储器（FLASH EEPROM）和128bytes的随机存取数据存储器（RAM），可重复擦写10000次，数据保存时间10年，工作电压范围：2.7V～6V，工作频率：0～24MHz，15根可编程I／0引线，2个16位定时器／计数器，一个5向量两级中断结构，—个全双工串行口，一个精密模拟比较器，两级程序加密，输出口可直接驱动LED显示，低功耗的闲置和调电保护工作方式，以及片

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：264192
    • 提供者：weixin_38507923

  1. 闪速可擦除可编程只读存储器

  2. 闪速（Flash）EEPROM作为一种分立元件已经使用很多年了，它们在结构和运用等方面都与EEPROM类似。闪速EEPROM和EEPROM之间的基本差异就在于其写入处理方面，闪速EEPROM是基于热电子注人而不是隧道效应。“热”电子就是快速电子，它们由源极和漏极之间的高电位差来产生，其中一些“热”电子因受正的电荷控制栅的影响穿透隧道氧化层并存储在浮动栅上。由于这种效应使其写人时间减少到大约1011s，与普通EEPROM所必须的3～10ms相比是一个很大进步。另外，其编程电压仅是12V，而EEPR

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：161792
    • 提供者：weixin_38642285

  1. 一款由89C2051设计的电子钟

  2. 一、电路原理 　　本电路采用89C2051单片机设计硬件电路如图1所示。AT89C2051具有2k字节闪速可编程可擦除只读存储器（FLASH EEPROM）和128bytes的随机存取数据存储器（RAM），可重复擦写10000次，数据保存时间10年，工作电压范围：2.7V～6V，工作频率：0～24MHz，15根可编程I／0引线，2个16位定时器／计数器，一个5向量两级中断结构，—个全双工串行口，一个精密模拟比较器，两级程序加密，输出口可直接驱动LED显示，低功耗的闲置和调电保护工作方式，以及片

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：710656
    • 提供者：weixin_38732277