研究了无锑材料体系对InP衬底上InGaAs三角量子阱激光器在2.30-2.44μm范围内的阱宽和阱数的影响。 通过使用气体源分子束外延生长的InAs / In053Ga0.47As数字合金等效地形成了三角形量子阱，并通过X射线衍射测量证实了拟晶生长。 对于具有四个13 nm量子阱的激光器，已经在连续波操作下在330 K以上的2.30μm处发射激光。 通过将阱宽度增加到19 nm，连续波波长在290 K下已扩展到2.44μm，而外延质量和激光性能下降。 对于阱宽度高达19 nm的那些激光器，适度