通过在玻璃基板上对锡进行阳极氧化来制备SnO 2薄膜。 阳极膜的表面形貌与原始的Sn膜一致，表明氧化过程主要是沿着Sn颗粒垂直发生的。 所制备的阳极SnO 2薄膜在表面具有非晶SnO 2相，随后在SnO 2膜和基板之间具有未氧化的Sn薄层。 随着退火温度的升高，残留的Sn层减少，直到在400°C消失为止，并且非晶SnO 2变为纳米晶。 制备好的阳极SnO 2薄膜的迁移率小于0.1 cm 2 /（V s），但退火后的薄膜的迁移率范围为1.6–2.2 cm 2 /（V s）。