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  1. 两管收音机的--制作

  2. 五两管 收 音 机 的 制 作晶 体二 极管 和三 极管 统称 为晶 体管 ，但 人们 往往 忽视 二极管 的存 在， 习惯 于按 三极 管的 个数 来区 分收 音机 的性 能， 如单管 机、 两管 机、 四管 机、… …等 。其 实， 收音 机的 性能 不单 单与 晶体 管个 数有 关， 电路 的形 式也 是非 常重 要的 。本 章所 介绍的 几种 收音 机， 晶体 管都 在两 只以 上， 其性 能要 比前 面介 绍的单 管机 好得 多。⒈采 用 用 低 阻 耳 机 的 两 管 机前 面介

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-06-22
    • 文件大小：145408
    • 提供者：jayzf0503

  1. GB-T 18969.2-2002声学 阻抗管中吸声系数和声阻抗的测量

  2. 关于阻抗管中吸声系数的测量标准，GB/T 18969

  3. 所属分类：专业指导

  1. 一种射频功率管的输入输出阻抗测量方法

  2. 在设计射频放大电路的工作中，一般都要涉及到输入输出阻抗匹配的问题，而匹配网络的设计是解决问题的关键，如果知道网络设计需要的阻抗，那么就可以 利用射频电路设计软件(如RFSim99)自动设计出匹配网络，非常方便。一般在阻抗匹配要求不很严格的情况下，或者只关心其他指标的情况下，可以对器件 的输入输出阻抗作近似估计(有时器件参数的分散性也要求这样)，只要设计误差不大就可行。但是在射频功率放大器的设计中，推动级和末级功率输出的设计必须 要提高功率增益和高效率，这时知道推动级和功率输出级的输入输出阻抗就

  3. 所属分类：网络基础

    • 发布日期：2010-04-06
    • 文件大小：294912
    • 提供者：walkman999

  1. 绝缘栅双极型功率管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)

  2. 　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-06
    • 文件大小：40960
    • 提供者：chming2004

  1. 单壁碳纳米管无线瓦斯浓度传感器设计研究

  2. 针对物联网远程监测煤矿井下瓦斯浓度,提出基于功能化碳纳米管(Functionalized CNTs)的钯负载型单壁碳纳米管(Pd-SWCNTs)的瓦斯浓度传感器解决方案。传感器整体呈可弯折薄片状,集成有天线、T型阻抗匹配网络、CMOS射频/直流(RF/DC)整流器和Pd-SWCNTs传感器探头等功能模块。传感器构成物联网的感知端,其检测的瓦斯浓度信息由物联网的移动探测器接收并识别。研究表明:在环境温度为18~38℃的煤矿井下,移动探测器采用增益为2.15 dBi的天线,发射功率为2 W,在距离传

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-07
    • 文件大小：274432
    • 提供者：weixin_38651983

  1. TVS管原理和特性.docx

  2. 这里主要介绍原理特性和参数，然后花一些时间分析一下散热选取，最后把PCB总结一下。瞬态二极管【TVS|Transient Voltage Suppressor】 是一种二极管形式（齐纳二极管的进化）的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以极快的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收电源和信号线上的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-04-08
    • 文件大小：421888
    • 提供者：andyhuangpuhp

  1. 基于正交试验的穿孔管消声器传递矩阵法修正

  2. 基于正交试验的穿孔管消声器传递矩阵法修正，左曙光，韦开君，修正穿孔管声阻抗中的等效厚度项可以提高传递矩阵法在截止频率以上计算穿孔管消声器声学性能的准确度。基于正交设计方法安排三维

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-17
    • 文件大小：358400
    • 提供者：weixin_38706045

  1. 三机共用的尾水调压室及岔管水头损失实验研究

  2. 三机共用的尾水调压室及岔管水头损失实验研究，梅飞朋，，根据溪洛渡水电站引水发电系统水工模型试验，对三台机组共用一个阻抗式尾水调压室情况下调压室及岔管的水头损失特性进行研究。研

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-19
    • 文件大小：307200
    • 提供者：weixin_38599412

  1. 无线电能传输系统阻抗动态补偿机理及实现方法

  2. 针对无线电能传输系统在过耦合区因耦合距离变化导致传输性能劣化的问题,为了以定频方式实现最大功率输出,提出通过调节初级回路内的2个平面螺旋线圈间广义耦合因子变量实现系统阻抗动态补偿的方法,并对阻抗动态补偿机理进行了研究。首先,以一个E类双管LLC谐振逆变电路为研究对象,采用电路理论建模并分析系统输出功率、传输效率与特性参数的相互作用机理,获得了系统输出功率特性曲线与传输效率特性曲线的变化规律,得到了2个补偿线圈之间的广义耦合因子对系统输出功率曲线和传输效率曲线的直接影响关系;其次,分析了阻抗动态补

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-15
    • 文件大小：393216
    • 提供者：weixin_38734037

  1. 场效应管辨别极性

  2. 场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2011-09-21
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：lizhiyuang

  1. VMOS管输出级电路图

  2. 输出级的具体电路如图所示. 为了在负载上能获得高压大电流脉冲,末级采用级联方式,即用一只双极晶体管与两只并联的VMOS管串接.其中,双极晶体管T4工作于共基极组态.共基极组态的输入阻抗低,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：18432
    • 提供者：weixin_38668160

  1. VMOS管的驱动及电路图

  2. 从BMOS管的等效电路（图1-19）可以看出，VMOS管的输入端是电容性的，其动态输入阻抗与静态输入阻抗有很大的差别，直流输入阻抗极高，但交流输入阻抗随频率而变化，由于这个原因，VMOS管的上升时间和下降时间与驱动电路的输出阻抗有关。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：19456
    • 提供者：weixin_38643401

  1. 单相接地故障下高阻抗式消弧线圈运行特性的研究

  2. 高阻抗式消弧线圈是一种由一对反并联晶闸管控制的随调式消弧线圈。为了研究其在配电网中的工作特性,文章主要介绍了消弧线圈在中性点电压突然升高即发生单相接地故障时的暂稳态过程,找出影响响应时间和接地残流的因素,并为此设计新的控制策略并通过仿真分析证明可提高消弧线圈的响应时间和补偿效果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：790528
    • 提供者：weixin_38631599

  1. MOS管常见相关知识整理

  2. MOS管是属于绝缘栅场效应管，栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，产生较高的电压将栅极和源极之间的绝缘层击穿。 早期生产的MOS管大都没有防静电的措施，所以在保管及应用上要非常小心，特别是功率较小的MOS管，由于功率较小的MOS管输入电容比较小，接触到静电时产生的电压较高，容易引起静电击穿。 而近期的增强型大功率MOS管则有比较大的区别，首先由于功能较大输入电容也比较大，这样接触到静电就有一个充电的过程，产生的电压较小，引起击穿的可能较小，再者现在的大功率MOS管在内部的栅极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：148480
    • 提供者：weixin_38516386

  1. 8550三级管开关电路图大全

  2. 8550三级管开关电路图（一） 这里介绍一个根据8050与8550制作而成三极管小功放电路图，改变而成的三管音频放大器。 电路如图所示，输入极（9014）的基极工作电压等于两输出极三极管三极管的中点电压，一三极管般为电源电压的一半，这个电压的稳定由输出三极管三极管的基极的两个二极管二极管控制。3.3 欧姆电三极管二极管阻串联在输出三极管三极管的发射极上，以稳定偏流。以减小环境温度、不同器件（如二极管二极管、输三极管二极管出三极管）参数区别对电路的影响。当偏流增加时，输出三极管发射极与基极间电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：153600
    • 提供者：weixin_38499503

  1. MOS管和IGBT管的定义与辨别

  2. MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很，有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍！ MOS管 MOS管即MOSFET，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性，输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。 IGBT管 IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管，是MOS管与晶体三极管的组合，MOS是作为输入管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：107520
    • 提供者：weixin_38614636

  1. 场效应管放大电路的直流偏置电路

  2. 什么是偏置电路晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位（可根据计算获得）。这些外部电路就称为偏置电路。场效应管偏置电路场效应管偏置电路为了使放大电路正常地工作能把输入信号不失真地加以放大，必须有一个合适而稳定的静态工作点为放大电路提供直流电流和直流电压的电路。叫做直流（静态）偏置电路，简称偏置电路由于各种电子电路对偏置电路有不同的要求，所以在实际电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38545517

  1. 电源设计经验之MOS管驱动电路分享

  2. 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。 当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。 一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求： 开关管开通瞬时，驱动电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：125952
    • 提供者：weixin_38737335

  1. 　mos管小电流发热的原因

  2. mos管小电流发热的原因 1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。 2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。 3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38650150

  1. 场效应管的特点及作用

  2. 场效应管的特点 与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 场效应管的作用 1.场效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：106496
    • 提供者：weixin_38663452
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