次GeV暗物质直接检测的关键策略是搜索由暗物质-电子散射或暗物质-核散射中的“ Migdal”效应产生的小电离信号。 我们表明，这两个过程的理论描述是紧密相关的，从而允许在它们之间进行原理映射。 我们针对稀有液体目标探索了这一点，并首次使用晶体形状因子估算了半导体中的Migdal效应。 我们使用XENON10，XENON100和SENSEI数据提出了新的约束条件，并给出了拟议实验的预测。