半导体行业目前面临集成电路（IC）制造方法的巨大变革，这一变革旨在不断提高 IC的性能和密度，可能会对设计方法产生影响。晶圆代工厂家目前正准备根据finFET概念加强使用三维晶体管结构的14nm和16nm工艺，因为相比较20nm的平面型晶体管，它们可以提供更高的性能。 　　通过提高载流通道，可从门控的三面对其进行环绕，从而使门控展现出更强的静电控制。这克服了导致过多漏电流的短通道效应以及使用大量硅片制造的纳米平面型晶体管所产生的其他问题。 　　图1 更好地说明了频率范围内的漏电流控制