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搜索资源列表

  1. 模拟CMOS集成电路设计1

  2. 本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2009-07-15
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：brucezhan

  1. 集成电路工艺原理 一部分

  2. 这是大学版的集成电路工艺原理，是微电子的必备，有要的就下吧

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-09-24
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：genious000

  1. PT22622272编解码集成电路介绍

  2. 编码解码芯片PT2262/PT2272芯片原理简介： PT2262/2272是台湾普城公司生产的一种CMOS工艺制造的低功耗低价位通用编解码电路，PT2262/2272最多可有12位(A0-A11)三态地址端管脚(悬空,接高电平,接低电平),任意组合可提供531441地址码,PT2262最多可有6位(D0-D5)数据端管脚,设定的地址码和数据码从17脚串行输出，可用于无线遥控发射电路。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-10-06
    • 文件大小：736256
    • 提供者：feysans

  1. 集成电路工艺原理课件——复旦 仇志军

  2. vlsi工艺原理的课件 基于《硅超大规模集成电路工艺技术——理论实践与模型》（silicon visi technology——fundamentals，practice and modeling）的很好的参考资料 共三卷，这是第一卷

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-11-08
    • 文件大小：18874368
    • 提供者：jyang8498

  1. 集成电路工艺原理课件——复旦 仇志军

  2. vlsi工艺技术课件 接着前面的，这是part2

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-11-08
    • 文件大小：18874368
    • 提供者：jyang8498

  1. 集成电路工艺原理课件——复旦 仇志军

  2. visi工艺技术课件 接着前面的，part3

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-11-08
    • 文件大小：11534336
    • 提供者：jyang8498

  1. 超大规模集成电路--系统和电路的设计原理.pdf

  2. 序言 1.集成电路的发展与意义 2.超大规模集成电路的优点 3.集成电路工艺分类 4.集成电路的规模 5.ASIC技术的发展 MOS器件和电路 1.MOS晶体管 2.nMOS晶体管的伏安特性 3.CMOS基本电路 集成电路的制造 1.概述 2.集成电路的基本工艺 3.nMOS集成电路加工过程 4.CMOS加工过程 5.成品率 6.集成电路经济分析 MOS电路基本特性和性能分析 4.1电阻估算 2.MOS器件的电容 3.延迟时间 4.反相器延时 5.多晶硅长线的影响 6.导电层的选用 7.大电容

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2010-04-21
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：yangshuyin520

  1. 0.35μm CMOS工艺设计的2.5Gbs激光驱动器集成电路

  2. 叙述了2.5G激光驱动器的设计原理，以及该工艺能够支持的速率。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-05-04
    • 文件大小：374784
    • 提供者：zhuhongyu76

  1. 集成电路制造工艺原理

  2. 集成电路制造工艺原理 第一章 外延及CAD－－ －－－－4学时 第二章 氧化、扩散及离子注入－8学时 第三章 光刻－－－－－－－－－4学时 第四章 刻蚀－－－－－－－－－2学时 第五章 金属化、封装与可靠性－2学时 第六章 N阱CMOS工艺流程－－2学时 第七章 硅器件制造的关键工艺－4学时

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2008-12-21
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：jucaiju

  1. 太阳能电池 （太阳能电池的种类和原理）

  2. 单晶硅太阳能电池的特点： •作为原料的硅材料在地壳中含量丰富，对环境基本上 没有影响。 •单晶制备以及pn结的制备都有成熟的集成电路工艺作 保证。 •硅的密度低，材料轻。即使是50μm以下厚度的薄板 也有很好的强度。 •与多晶硅、非晶硅比较，转换效率高。 •电池工作稳定，已实际用于人造卫星等方面，并且可 以保证20年以上的工作寿命。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-03-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：liumeina

  1. 集成电路工艺原理试题

  2. 相对于集成电路专业的很有用，可以值得一看哈，加油哦，大伙

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-11-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：jmciii520

  1. 模拟集成电路设计原理-课件.zip

  2. CMOS工艺、差分放大器、带隙基准、单极放大器、开关电容电路、频率特性、模数数模转换器、噪声、运算放大器

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-06-01
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：qq_40367382

  1. 集成电路制造技术——原理与工艺---第七章化学气相淀积

  2. 集成电路制造技术——原理与工艺---第七章化学气相淀积 7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化硅薄膜淀积 7.6 多晶硅薄膜的淀积 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-08-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：zhifj86

  1. 模拟技术中的CMOS电路中ESD保护结构的设计原理与要求

  2. ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。     1 引言     静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38520258

  1. 电源技术中的通信系统中二次电源电路的滤波与缓启原理

  2. 本文主要论述了二次电源系统中－48V电路经DC/DC变换3.3V模块中的滤波、保护电路，以及在采用电源热备份集中供电系统中，拔插采用3.3V电源的单板时抑止浪涌电流的电源缓启电路。 　　引言 　　现代集成电路工艺已进入亚微米阶段，数字信号的上升/下降时间普遍为亚纳秒量级，这使高速数字系统的设计面临巨大挑战。晶体管尺寸越来越小，使得其工作电压越来越低，同时时钟频率不断上升，微处理器(CPU)和各种专用芯片（ASIC）集成的功能越来越多，其消耗的功率也越来越大，这对电源系统的稳定性和可靠性提出了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：221184
    • 提供者：weixin_38584043

  1. 基础电子中的模拟集成电路几种特性

  2. 模拟集成电路是在分立元件的模拟电路理论和数字集成电路工艺的基础上发展起来的。 　　在电路构成方面，模拟集成电路具有以下持点： 　　（1）电路结构与元件参数具有对称性 　　尽管集成电路工艺制作的元件、器件的参数精度不高，但是相同元件、器件的制作工艺相同、当它们的结构相同且几何尺寸相同时，它们的特性和参数就比较一致。因此，在模拟集成电路中住往采用结构对称或元件参数彼此匹配的电路形式，利用参数补偿的原理来提高电路的性能。 　　（2）用有源器件代替无源器件 　　由于集成化的晶体管占用的芯片面积

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：35840
    • 提供者：weixin_38567873

  1. 元器件应用中的压阻式压力传感器工作原理及特点

  2. 压阻式压力传感器采用集成电路工艺技术，在硅片上制造出四个等值的薄膜电阻并组成电桥电路，当不受力作用时，电桥处于平衡状态，无电压输出;当受到压力作用时，电桥失去平衡而输出电压，且输出的电压与压力成比例。　　压阻式压力传感器具有以下特点:　　①压阻式压力传感器的灵敏系数比金属应变式压力传感器的灵敏度系数要大50-100倍。有的时候压阻式压力传感器的输出不需要放大器就可直接进行测量。　　②由于它采用集成电路工艺加工，因而结构尺寸小，重量轻。　　③压力分辨率高，它可以检测出像血压那么小的微压。　　④频率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：37888
    • 提供者：weixin_38596413

  1. 模拟技术中的集成电路原理复习思考题（附参考答案）

  2. 第0章 绪论1. 根据工艺和结构的不同，可将IC分为哪几类？根据工艺和结构的不同，可将IC分为三类：① 半导体IC或称单片（Monolithic）IC，②膜IC，又可分为两种 ： 厚膜电路，薄膜电路；③混合IC（Hybrid IC）按器件结构类型分类：双极集成电路，金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路。2. 用哪些技术指标描述集成电路工艺技术水平？描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标：集成度，特征尺寸，芯片面积，晶片直径，封装。3. 为什么数字IC和模拟IC划分集成电路规模的标准不同？因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：128000
    • 提供者：weixin_38581447

  1. 集成电路制造工艺原理

  2. 在这里，整理发布了集成电路制造工艺原理，只为方便大家用于学习、参考，喜欢集成电路制造工艺...该文档为集成电路制造工艺原理，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-14
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38556737

  1. CMOS电路中ESD保护结构的设计原理与要求

  2. ESD(静电放电)是CMOS电路中为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。     1 引言     静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：128000
    • 提供者：weixin_38607784
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