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集成CMOS对称式收/发开关的设计
本文分析了影响对称式射频收/发开关性能的因素,包括栅宽、导通电阻、衬底电阻、栅极电阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工艺进行设计和实现。经过优化设计和仿真,获得了插入损耗为1.0 dB、隔离度46.3 dB和1 dB压缩点12.8 dBm的电路。该射频收/发开关可以与应用于TD-SCDMA的全集成CMOS收发器集成在一起,构成集成度更高、价格更低的收发器
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-30
文件大小:74752
提供者:
weixin_38525735
模拟技术中的基于TD-SCDMA系统的集成CMOS对称式收/发开关的设计
引言 TD-SCDMA是英文Time Division-Synchronous Code Division Multiple Access(时分同步码分多址) 的简称,是一种第三代无线通信的技术标准,也是ITU批准的三个3G标准中的一个,相对于另两个主要3G标准(CDMA2000)或(WCDMA)它的起步较晚。 使用CMOS收/发开关取代GaAs MOSFET收/发开关的好处之一是CMOS开关电路不需要负的控制电压。而且,如果能用标准CMOS工艺来完成,开关电路就可以和收发器中其它RF模
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:159744
提供者:
weixin_38694343
用于TD-SCDMA系统的集成CMOS对称式收/发开关的设计
TD-SCDMA使用的是时分双工方式(TDD)。对于TDD通信系统来说,高质量的收/发开关是RF前端电路的关键模块。为了提高集成度,收/发开关可以采用全集成的形式来取代传统的GaAs MOSFET和PIN二极管等分立元件。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-24
文件大小:148480
提供者:
weixin_38632916
集成CMOS对称式收/发开关的设计
引言 TD-SCDMA使用的是时分双工方式(TDD)。对于TDD通信系统来说,高质量的收/发开关是RF前端电路的关键模块。为了提高集成度,收/发开关可以采用全集成的形式来取代传统的GaAs MOSFET和PIN二极管等分立元件。 使用CMOS收/发开关取代GaAs MOSFET收/发开关的好处之一是CMOS开关电路不需要负的控制电压。而且,如果能用标准CMOS工艺来完成,开关电路就可以和收发器中其它RF模块集成在一起,这将降低成本。 TD-SCDMA系统规划使
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-13
文件大小:75776
提供者:
weixin_38736760
基于TD-SCDMA系统的集成CMOS对称式收/发开关的设计
引言 TD-SCDMA是英文Time Division-Synchronous Code Division Multiple Access(时分同步码分多址) 的简称,是一种第三代无线通信的技术标准,也是ITU批准的三个3G标准中的一个,相对于另两个主要3G标准(CDMA2000)或(WCDMA)它的起步较晚。 使用CMOS收/发开关取代GaAs MOSFET收/发开关的好处之一是CMOS开关电路不需要负的控制电压。而且,如果能用标准CMOS工艺来完成,开关电路就可以和收发器中其它RF模
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:150528
提供者:
weixin_38557515