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  1. 二极管建模及其特性研究

  2. 针对PIN雪崩光电二极管结构的特殊性.以载流子速率方程为基础‘进行适当的假设和拟介.将光、电子量和转化过程完全用数学模型表示‘并在Matlab中进行了模拟计算.其结果与实验数据符介较好.该模型可用于对PIN一A PD进行自流、交流、瞬杰等分析和性能预测.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-05-04
    • 文件大小：685056
    • 提供者：sduwangkai

  1. 介绍APD雪崩二极管原理

  2. 本文件详细的介绍了APD雪崩二极管的工作原理，让初学者懂得其工作原理

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2018-05-16
    • 文件大小：649216
    • 提供者：xudeyu2016

  1. 利用硅雪崩二极管检测激光脉冲信号.pdf

  2. 利用硅雪崩二极管检测激光脉冲信号

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：202752
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 单光子雪崩二极管猝熄电路的发展.pdf

  2. 单光子雪崩二极管（SPAD）是工作在击穿电压上的雪崩二极管（APD）。对于极弱光学信号的探测，例如超高音速飞行器早期预警的应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. AlGaN日盲雪崩光电二极管暗电流机制分析

  2. AlGaN日盲雪崩光电二极管暗电流机制分析，邵振广，陈敦军，我们通过模拟计算和透射电镜分析研究了AlGaN雪崩层与吸收层分离的SAM型日盲雪崩探测器的暗电流传输机制。发现AlGaN日盲雪崩探测器中�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-12
    • 文件大小：706560
    • 提供者：weixin_38521169

  1. 雪崩二极管

  2. 关于雪崩二极管的一些注意方面，温补及其补偿电路，RV偏压，增益系数等细节性描述

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-01-09
    • 文件大小：419840
    • 提供者：u010936157

  1. C30737雪崩管资料

  2. 激光信号接收用的雪崩管二极管，可用于激光测距/激光雷达等系统，

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2012-08-19
    • 文件大小：462848
    • 提供者：dingmy1007

  1. 单光子雪崩二极管的PSpice电路模型

  2. 在本文中，我们提出了一种改进的单光子雪崩二极管电路模型，没有任何收敛问题。 设备仿真基于Orcad PSpice，所有采用的组件均可在软件的标准库中找到。 特别地，采用直觉和简单的压控电流源来表征静态行为，与传统模型相比，它可以更好地表示电压-电流关系，并降低了仿真的计算复杂性。 派生工具可以实现SPAD的自我维持，自我抑制和恢复过程。 仿真结果表明该模型可以很好地模拟SPAD的雪崩过程。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-03
    • 文件大小：342016
    • 提供者：weixin_38699551

  1. 雪崩光电二极管应用特性的仿真研究

  2. 雪崩光电二极管应用特性的仿真研究，优秀范例

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-07-10
    • 文件大小：327680
    • 提供者：yuanlaiwang

  1. 雪崩二极管原理_雪崩二极管作用

  2. 雪崩二极管原理 雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压，使得空间电荷区展宽，从N+P结处一直展宽到IP+结处。整个空间电荷区的电场在N+P处最大。假定在N+P结附近一个小区域内，电场强度超过了击穿电场，则在这个区域内就发生雪崩击穿。发生雪崩击穿的这一区域称为雪崩区。在雪崩区以外，由于电场强度较低，因而不发生雪崩击穿。载流子只在电场作用下以一定的速度作漂移运动。载流子作漂移运动的区域称为漂移区。载流子通过漂

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38736652

  1. 稳压二极管为什么能实现稳压输出

  2. 普通的二极管，像发光LED、整流二极管等工作于正向导通，如果是硅管的话导通电压使0.7V左右，而锗管导通只需要0.3V左右，每种不同的二极管导通的电压不一样，而且只允许单一的正向电流流过；但是反向加电压时候，当电压达到一定值时候发生齐纳击穿或者雪崩击穿，我们平时经常用到的1N4148耐压也就50V。如下图，在发光二极管加以5V电压，同时加一个限流电阻330欧姆。 而稳压二极管却是工作于反向状态，利用电压在一定范围内电流几乎不变特点来实现稳压，如下图 如果要实现稳压大一点可以两个稳压二

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38612095

  1. 瞬态抑制二极管的选用技巧

  2. 瞬态抑制二极管的分类 按极性分为单极性和双极性两种 按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的专用型器件。如：各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列（适用多线保护）、贴片式、组件式和大功率模块式等。 瞬态抑制二极管的选用技巧 1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。 2、TVS额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：80896
    • 提供者：weixin_38680811

  1. 雪崩光电二极管的工作原理

  2. 概念 在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。 主要特性 ①雪崩增益系数M（也叫倍增因子），对突变结式中V为反向偏压，VB为体雪崩击穿电压；n与材料、器件结构及入射波长等有关，为常数，其值为1～3。 ②增益带宽积，增益较大且频率很高时，M（ω）·ω式中ω为角频率；N为常数，它随离化系数比缓慢变化；W为耗尽

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：118784
    • 提供者：weixin_38747025

  1. 齐纳二极管的工作原理

  2. 齐纳二极管的工作原理 在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通（图1.15）。这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿，如果没有一些外在的措施来限制电流的话，它可能导致器件的损坏。反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。然而，如果采取适当的预防措施来限制电流的话，反向击穿的结能作为一个非常稳定的参考电压。 图1.15 PN结二极管的反向击穿。 导致反向击穿的一个机制是avala

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：209920
    • 提供者：weixin_38684743

  1. 雪崩二极管 什么是雪崩二极管

  2. 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：20480
    • 提供者：weixin_38633083

  1. 雪崩二极管原理 雪崩二极管的作用

  2. 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：40960
    • 提供者：weixin_38625192

  1. InGaAs / InP单光子雪崩二极管的后脉冲特性

  2. InGaAs / InP单光子雪崩二极管的后脉冲特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：392192
    • 提供者：weixin_38571992

  1. 雪崩光电二极管的雪崩发光串扰研究

  2. 在使用时间关联单光子计数的量子保密通信、量子密码术等量子光学领域中，雪崩光电二极管(APD)拥有广泛的应用。然而在其工作过程中，吸收层接收到光子形成载流子，载流子个数在倍增层进行指数型增益，每个载流子通过P-N 结结点均有一定概率发出光子，发出的光子在一定条件下会串扰进入另一个雪崩二极管。在盖革模式下进行单光子探测时，这种串扰光子会严重影响时间关联单光子计数的实验结果。研究了APD 雪崩原理，实验中做出了串扰峰对比度比较高的现象，分析了影响串扰峰间距和形状的因素，提出通过光隔离规避串扰现象，并通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38746818

  1. 利用硅雪崩二极管检测激光脉冲信号

  2. 研究了用雪崩二极管(SiAPD)检测激光脉冲回波信号的统计特性,分析了激光测距系统的探测概率、虚警概率和漏探测概率与系统参数及检测电路所设阈值的关系.阈值的选取对系统的探测性能有很大影响,对实际系统的计算表明,回波产生的初级光电子数和SiAPD的平均增益决定了阈值的选取区间.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：192512
    • 提供者：weixin_38636577

  1. 以交流电压增进雪崩二极管的响应

  2. 美帝贝耳电话实验室的科学工作者已用一种新型的偏压运转法，成功地将硅雪崩二极管的响应增加70倍。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743235
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