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搜索资源列表

  1. MOSFET器件的选择

  2. 随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选 择正确的MOSFET。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2009-11-19
    • 文件大小：93184
    • 提供者：chenxin186

  1. 雪崩击穿的代码

  2. 雪崩击穿的matlab代码，基于PN结的突变结势垒区以及线性缓变结。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2013-07-09
    • 文件大小：2048
    • 提供者：u011354819

  1. SVF8N60T/F-datasheet

  2. SVF8N60T/F为N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动，LED驱动电源。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-03-26
    • 文件大小：443392
    • 提供者：ahaqchenwei

  1. 单光子雪崩二极管猝熄电路的发展.pdf

  2. 单光子雪崩二极管（SPAD）是工作在击穿电压上的雪崩二极管（APD）。对于极弱光学信号的探测，例如超高音速飞行器早期预警的应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 开关管的选择.doc

  2. 开关管的选择doc,随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。场效应管是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的场效应管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-16
    • 文件大小：19456
    • 提供者：weixin_38743506

  1. TVS 选型指南.pdf

  2. TVS（ Transient Voltage Suppressors），即瞬态抑制二极管，又称雪崩击穿二极管。 有单向与双向之 分，单向 TVS 应用在直流电路，双向 TVS 应用于交流电路。如图所示 TVS 反向并联于电路中， 当电路正 常工作时，它处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-09-27
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：ccitxug

  1. 功率MOSFET雪崩击穿问题分析.pdf

  2. 功率MOSFET雪崩击穿问题分析pdf,分析了功率 MOSFET 雪崩击穿的原因，以及 MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET 雪崩击穿过程不在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET 的雪崩击穿中起着决定性的作用，寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在MOSFET 发生雪崩击穿时，器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：129024
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 雪崩二极管原理_雪崩二极管作用

  2. 雪崩二极管原理 雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压，使得空间电荷区展宽，从N+P结处一直展宽到IP+结处。整个空间电荷区的电场在N+P处最大。假定在N+P结附近一个小区域内，电场强度超过了击穿电场，则在这个区域内就发生雪崩击穿。发生雪崩击穿的这一区域称为雪崩区。在雪崩区以外，由于电场强度较低，因而不发生雪崩击穿。载流子只在电场作用下以一定的速度作漂移运动。载流子作漂移运动的区域称为漂移区。载流子通过漂

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38736652

  1. 雪崩光电二极管的工作原理

  2. 概念 在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。 主要特性 ①雪崩增益系数M（也叫倍增因子），对突变结式中V为反向偏压，VB为体雪崩击穿电压；n与材料、器件结构及入射波长等有关，为常数，其值为1～3。 ②增益带宽积，增益较大且频率很高时，M（ω）·ω式中ω为角频率；N为常数，它随离化系数比缓慢变化；W为耗尽

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：118784
    • 提供者：weixin_38747025

  1. 雪崩二极管 什么是雪崩二极管

  2. 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：20480
    • 提供者：weixin_38633083

  1. 功率MOSFET雪崩击穿问题分析

  2. 分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET的雪崩击穿中起着决定性的作用，寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在MOSFET发生雪崩击穿时，器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：144384
    • 提供者：weixin_38686267

  1. 元器件应用中的雪崩光电二极管反向电流的测量

  2. 雪崩光电二极管（APD）是一种高灵敏度、高速度的光电二极管。施加反向电压时，能启动其内部的增益机构。APD的增益可以由反向偏置电压的幅度来控制。反向偏置电压越大增益就越高。APD在电场强度的作用下工作，光电流的雪崩倍增类似于链式反应。APD应用于对光信号需要高灵敏度的各种应用场合，例如光纤通讯、闪烁（scintillation）探测等。 　　对APD的测量一般包括击穿电压、响应度和反向偏置电流等。典型APD的最大额定电流为10-4到10-2A，而其暗电流则可低达10-12到10-13A的范围。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：93184
    • 提供者：weixin_38683848

  1. Redis缓存穿透，缓存击穿和缓存雪崩

  2. 一、缓存处理流程 处理Reids缓存引发的问题时，我们首先得知道缓存处理的一个流程，如下图： 二、缓存穿透，缓存击穿和缓存雪崩 缓存穿透 描述：缓存穿透是指缓存和数据库中都没有的数据，而用户不断发起请求，如发起为id为“-1024”的数据或id为特别大不存在的数据。这时的用户很可能是攻击者，攻击会导致数据库压力过大。 解决方法: 1.接口层增加校验，如用户鉴权校验，id做基础校验，id<=0的直接拦截； 2.从缓存取不到的数据，在数据库中也没有取到，这时也可以将key-value对写为k

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-14
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38610012

  1. redis 的雪崩、击穿、穿透

  2. 缓存雪崩：redis中的很多key过期时间相同，过期时间到了之后，大量数据访问redis，然后redis访问数据库，redis受不了了，相当于缓存被击穿了 解决方案： 1、不要把大量的数据的超时时间设为同一个时间点，加个随机值 2、热点数据永远不过期 3、缓存数据库分布式部署   缓存击穿：一个key在失效的时刻，大量请求这个key，直接访问到数据中 解决方案： 1、热点数据永远不过期 2、加互斥锁   缓存穿透：大量获取缓存中不存在key的value，导致大量数据直接访问数据库 解决方案： 1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-08
    • 文件大小：32768
    • 提供者：weixin_38538472

  1. GaN雪崩光电二极管的电场分布和器件设计

  2. 我们研究了在不同的反向偏置值下，pin型和独立吸收与倍增（SAM）型GaN雪崩光电二极管中电场的分布。 我们还分析了每一层参数（包括宽度和浓度）对电场分布（尤其是击穿电压）的影响。 发现较高的p-GaN浓度（高于1x10（18）cm（-3））和较低的i-GaN载流子浓度（低于5x10（16）cm（-3））有助于限制电场并降低击穿电压。 在SAM（PININ）结构，合适的选择应为浓度与中间的n-GaN层的厚度，以恶化为销结构降低击穿电压和防止设备制成。 最后，提出了各层材料的优化参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：610304
    • 提供者：weixin_38606019

  1. 高功率微波脉冲大气击穿概率研究

  2. 高功率微波大气击穿实验中,入射功率在大气击穿阈值附近,即使外界条件相同,大气击穿可能发生也可能不发生。针对这一问题,基于大气击穿机理,将大气击穿分为首个电子出现在击穿区域和高功率微波电场导致雪崩击穿两个过程。针对第一个过程,建立了改进的电子连续性方程,引入平均电子产生率分析大气击穿发生前电子出现的概率问题;针对第二个过程,建立了高功率微波大气雪崩击穿概率模型。综合两个过程,建立了高功率微波大气击穿概率模型,仿真了不同压强条件下大气击穿的概率,并与相关实验数据进行了比对,仿真结论与实验数据吻合较好

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-10
    • 文件大小：236544
    • 提供者：weixin_38687928

  1. 飞秒激光诱导水光学击穿的椭球体模型

  2. 基于飞秒激光脉冲在焦点区域的成形特征和速率方程,通过对自由电子密度速率方程中电子扩散速率和雪崩速率的修正,提出了适用于飞秒激光脉冲诱导水光学击穿的椭球体(ETS)模型。采用四阶朗格-库塔(Runge-Kutta)方法对该模型进行了脉宽为100 fs和300 fs情况下的数值模似。得到了光学击穿阈值以及击穿区域内不同时刻的电子分布,并且预测了焦点区域内不同位置处自由电子随时间的变化趋势。结果表明,用ETS模型计算出的水的击穿阈值较传统模型更好地与实验结果吻合。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38706055

  1. 极化调控AlGaN基日盲紫外雪崩光电二极管性能优化

  2. 通过数值模拟研究了各层参数对极化调控的背入射异质结分离吸收倍增层型AlGaN 基雪崩光电二极管（APDs）性能的影响，并详细分析相关物理机制。计算结果表明：参数的优化有利于降低APDs 的雪崩击穿电压，提高倍增因子。特别是对于P-GaN 层AlGaN 雪崩光电二极管，倍增因子增加可超过300%，这是由于该雪崩光电二极管的GaN/Al0.4Ga0.6N 异质界面的强极化电荷调节了倍增层、中间插入层、吸收层的电场分布，增加了载流子的注入和倍增效率，同时还由于参数优化减小了倍增时的暗电流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：644096
    • 提供者：weixin_38625599

  1. 功率MOSFET雪崩击穿问题分析

  2. 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET的雪崩击穿中起着决定性的作用，寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在MOSFET发生雪崩击穿时，器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。关键词：双极性晶体管；功率MOSFET；雪崩击穿；寄生晶体管；能量耗散　　1   引言   功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：149504
    • 提供者：weixin_38563176

  1. Redis学习(2)-缓存击穿、穿透、雪崩、热点数据

  2. 设计一个缓存系统，不得不要考虑的问题就是：缓存穿透、缓存击穿与失效时的雪崩效应。 这里不涉及一级缓存还是二级缓存，主要是讲述使用缓存的时候可能会遇到的一些问题以及一些解决办法 我们使用缓存的时候流程一般是这样： 当我们查询一条数据时，先去查询缓存，如果缓存有就直接返回，如果没有就去查询数据库，然后返回并缓存。 这种情况下就可能会出现一些现象。 缓存穿透 正常情况下，我们去查询数据都是存在。 那么请求查询一条压根儿数据库中根本就不存在的数据，也就是缓存和数据库都查询不到这条数据，但是请求每次都会

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：219136
    • 提供者：weixin_38693589
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