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搜索资源列表

  1. 基于雪崩管MARX电路的高稳定度脉冲技术

  2. 基于雪崩管MARX电路的高稳定度脉冲技术 一种新奇的脉冲产生方式，电子真奇妙

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-04-11
    • 文件大小：701440
    • 提供者：witness0001

  1. 三极管,场效应管参数大全

  2. 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2008-09-15
    • 文件大小：210944
    • 提供者：noraml

  1. 利用雪崩管驱动电光偏转器实现稳定纳秒激光脉冲输出

  2. 详细讲解了雪崩管如何驱动电光开关，对于光学、电学都有很好的学习。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2018-08-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：qq_42959620

  1. 开关管的选择.doc

  2. 开关管的选择doc,随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。场效应管是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的场效应管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-16
    • 文件大小：19456
    • 提供者：weixin_38743506

  1. C30737雪崩管资料

  2. 激光信号接收用的雪崩管二极管，可用于激光测距/激光雷达等系统，

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2012-08-19
    • 文件大小：462848
    • 提供者：dingmy1007

  1. 功率MOS雪崩指南_仙童.pdf

  2. 功率MOS雪崩指南_仙童：是仙童的应用手册，讲解了MOS管的基本特性，对正确应用MOS管很有帮助，值得一看

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：465920
    • 提供者：hejiexue_zzuli

  1. 关于场效应管的参数大全

  2. 直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。 开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。 交流参数 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38687277

  1. 中文图解功率MOS管的每一个参数!

  2. 第一部分 最大额定参数 最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压 在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性. VGS 最大栅源电压 VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：783360
    • 提供者：weixin_38621150

  1. 光电检测技术原理 光电二级管 雪崩二级管

  2. 坎德拉（Candela）： 记作 cd，基本单位； 555nm的单色辐射在给定方向上的辐强度为 1/683Wsr-1时，在该方向上的发光强度为1cd。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-06-19
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：lihua136

  1. 选择正确的场效应管：工程师必须要知道的

  2. 场效应管是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的场效应管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-03
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38745648

  1. 电源技术中的功率MOS管的五种损坏模式详解

  2. 第一种：雪崩破坏     如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。     在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。     典型电路：     第二种：器件发热损坏     由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：352256
    • 提供者：weixin_38727825

  1. 详解TVS管在保护电路中的应用

  2. 在实际的电路中，如图所示，在DC input的时候，有时由于供电环境的变化会带来一些瞬时脉冲。而要消除瞬时脉冲对器件损害的最好办法，就是将瞬时电流从敏感器件引到地，一般具体做法是将TVS在线路板上与被保护线路并联。这样，当瞬时电压超过电路正常工作电压后，TVS将发生雪崩击穿，从而提供给瞬时电流一个超低阻抗的通路，其结果是瞬时电流通过TVS被短路到GND，从而避开被保护器件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。而当瞬时脉冲结束以后，TVS二极管再自动恢复至高阻状态，整个回路又回到

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38668776

  1. 再议PiN器件的极限雪崩电压

  2. 摘要：叙述了国内外对PiN器件雪崩电压理论极限的论述，详细说明了用ni=ND作为判定PiN器件雪崩电压理论极限依据的合理性。进而说明了这一研究的重要意义。关键词：PiN二极管、雪崩、本征热激发载流子浓度、电压极限Abstract：Keyword：0、功率半导体器件如整流二极管、晶闸管等的反向（即阻断

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-18
    • 文件大小：157696
    • 提供者：weixin_38523618

  1. 功率MOSFET雪崩能量及雪崩失效分析

  2. 首先阐述了传统测试条件下功率MOSFET管的数据表中雪崩能量值的缺陷，然后讨论了针对实际应用对应着不同的测试电感值时，功率MOSFET雪崩能量的变化及特性，给出了相应的测试波形。同时，通过不同条件下功率MOSFET管雪崩失效的显微图片，详细地分析了相应的雪崩特性和产生的原因。在小电感条件下，大电流快速关断是功率MOSFET管雪崩最为恶劣的情况。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：354304
    • 提供者：weixin_38505158

  1. 电子测量中的各种光电探测器的性能比较和应用选择

  2. （1）各种光电探测器的性能比较 　　在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为最好；在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为最好；在灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为最好。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管；外加偏置电压最低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置；在暗电流方面，光电倍增管和光电二极管最小，光电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38629042

  1. BS107A的技术参数

  2. 产品型号:BS107A源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6000最大漏极电流Id(on)(A):0.250通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-92/-55~150描述:小信号N沟道TO92封装场效应管价格/1片(套):￥1.65  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-11
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38656463

  1. 利用雪崩管驱动电光偏转器实现稳定纳秒激光脉冲输出

  2. 利用雪崩管堆驱动LiNbO3电光偏转器对激光脉冲进行快速偏转,实现幅度稳定的纳秒整形激光脉冲;激光脉冲振幅不稳定度从振荡器输出的单纵模调Q激光脉冲的10%(RMS)降低到4%(RMS),大大改进了纳秒量级整形激光脉冲幅度稳定性.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：211968
    • 提供者：weixin_38562130

  1. 冷阴极闸流管激光脉冲削波器

  2. 本文报导由冷阴极闸流管产生高压脉冲的激光脉冲削波器。采用光电信号悬浮输入的雪崩管触发电路和脉冲预燃工作方式,成功地实现了对调Q激光脉冲的削波,获得前沿为1.8毫微秒、宽度可变的光脉冲。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38582793

  1. 详解TVS管在保护电路中的应用

  2. 在实际的电路中，如图所示，在DC input的时候，有时由于供电环境的变化会带来一些瞬时脉冲。而要消除瞬时脉冲对器件损害的办法，就是将瞬时电流从敏感器件引到地，一般具体做法是将TVS在线路板上与被保护线路并联。这样，当瞬时电压超过电路正常工作电压后，TVS将发生雪崩击穿，从而提供给瞬时电流一个超低阻抗的通路，其结果是瞬时电流通过TVS被短路到GND，从而避开被保护器件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。而当瞬时脉冲结束以后，TVS二极管再自动恢复至高阻状态，整个回路又回到正常

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：118784
    • 提供者：weixin_38608055

  1. 六个可能让MOS管失效的原因分析

  2. 目前在市场应用方面，的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用领域第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品，随着国情的发展计算机主板、计算机类适配器、LCD显示器对MOS管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。        第三的就属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域了，这些产品对于MOS管的需求也是很大的，特别是现在汽车电子对于MOS管的需求直追消费类电子了。       下面对MOS失效的原因总结

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：250880
    • 提供者：weixin_38652270
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