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多态密码机制的改进及其严格雪崩特性分析
多态密码机制 广泛应用于磁盘文件的加密 ,具有强安全性和高速性等优点 ,但不适用于复杂的网络应用环境 针对该问题对 进行了改进 ,提出了满足严格雪崩准则 的强单向函数和构造 盒的新方法 ,使构造满足 函数的方法更加方便快捷 最后从满足 方面分析和验证了该方法的 安全性 实验结果表明 ,改进后的 能快速而大量地产生符合密码学特性的长周期序列 ,并形成网络环境中通信双方会话的对称密钥
所属分类:
网络基础
发布日期:2009-09-16
文件大小:581632
提供者:
zhang862006
DES C语言源代码, 雪崩性质分析,差分分析,自己设计S盒进行加密
C语言实现——应用分组密码体制的基本原理,实现DES加解密,并分析 DES 的雪崩性质,对DES加密进行差分分析,并利用自己设计的S盒进行加密
所属分类:
C
发布日期:2009-11-07
文件大小:883712
提供者:
hkasa240885972
基于雪崩管MARX电路的高稳定度脉冲技术
基于雪崩管MARX电路的高稳定度脉冲技术 一种新奇的脉冲产生方式,电子真奇妙
所属分类:
嵌入式
发布日期:2011-04-11
文件大小:701440
提供者:
witness0001
雪崩击穿的代码
雪崩击穿的matlab代码,基于PN结的突变结势垒区以及线性缓变结。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2013-07-09
文件大小:2048
提供者:
u011354819
解决缓存雪崩问题
在java开发中如何解决缓存雪崩的问题,因为缓存失效导致数据未加载到缓存中,或者缓存同一时间大面积的失效 从而导致所有请求都去查询数据库,导致数据库CPU和内存负载过高,甚至宕机
所属分类:
Java
发布日期:2018-01-19
文件大小:1024
提供者:
hy2014051202
雪崩、分形与雷电中强闪的自组织演化
雪崩、分形与雷电中强闪的自组织演化,苟学强,张义军 ,主要基于Bak等的自组织临界理论和Nottale 的标度相对性理论,强调了雪崩、分形与复杂系统自组织演化的联系,以此为基础,利用青藏高�
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-23
文件大小:430080
提供者:
weixin_38501299
AlGaN日盲雪崩光电二极管暗电流机制分析
AlGaN日盲雪崩光电二极管暗电流机制分析,邵振广,陈敦军,我们通过模拟计算和透射电镜分析研究了AlGaN雪崩层与吸收层分离的SAM型日盲雪崩探测器的暗电流传输机制。发现AlGaN日盲雪崩探测器中�
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-12
文件大小:706560
提供者:
weixin_38521169
功率MOSFET雪崩击穿问题分析.pdf
功率MOSFET雪崩击穿问题分析pdf,分析了功率 MOSFET 雪崩击穿的原因,以及 MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时MOSFET 雪崩击穿过程不在“热点”的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET 的雪崩击穿中起着决定性的作用,寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在MOSFET 发生雪崩击穿时,器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-14
文件大小:129024
提供者:
weixin_38743737
redis 自身实例应用,雪崩,分布式锁
主要对redis 缓存的雪崩,分布式锁做案例分析和实际应用讲解
所属分类:
Java
发布日期:2019-03-03
文件大小:207872
提供者:
yingwuluohan
雪崩二极管
关于雪崩二极管的一些注意方面,温补及其补偿电路,RV偏压,增益系数等细节性描述
所属分类:
硬件开发
发布日期:2014-01-09
文件大小:419840
提供者:
u010936157
雪崩晶体管在探地雷达中的应用
雪崩晶体管在探地雷达中的应用,利用雪崩晶体管设计纳秒级脉冲
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-10-15
文件大小:182272
提供者:
pengyahong
C30737雪崩管资料
激光信号接收用的雪崩管二极管,可用于激光测距/激光雷达等系统,
所属分类:
制造
发布日期:2012-08-19
文件大小:462848
提供者:
dingmy1007
贝加莫省雪崩区划和风险估计的ArcGIS地理形态学方法
本文介绍了贝加莫大学使用GIS方法开发的一项研究的结果,该研究关于贝加莫省的雪崩区划和风险评估。 尽管如此,此处介绍的简化估算模型的采用仍使结果能够很好地符合贝加莫省以前更严格的研究结果。 还进行了以下分析,以估计可能存在风险的滑雪缆车,市区,输电线,公路,铁路和道路。 这是一项正在进行的工作,因为已经考虑了进一步的开发,以通过描述土地形态和气象的更多参数来丰富风险模型。 然后将这些结果用于模拟事故并估算救援人员的最短路线。 最后,开发用于移动设备的地理应用程序可能会成为雪崩风险区域信息的非常有
所属分类:
其它
发布日期:2020-06-05
文件大小:16777216
提供者:
weixin_38741891
功率MOS雪崩指南_仙童.pdf
功率MOS雪崩指南_仙童:是仙童的应用手册,讲解了MOS管的基本特性,对正确应用MOS管很有帮助,值得一看
所属分类:
嵌入式
发布日期:2020-06-05
文件大小:465920
提供者:
hejiexue_zzuli
单光子雪崩二极管的PSpice电路模型
在本文中,我们提出了一种改进的单光子雪崩二极管电路模型,没有任何收敛问题。 设备仿真基于Orcad PSpice,所有采用的组件均可在软件的标准库中找到。 特别地,采用直觉和简单的压控电流源来表征静态行为,与传统模型相比,它可以更好地表示电压-电流关系,并降低了仿真的计算复杂性。 派生工具可以实现SPAD的自我维持,自我抑制和恢复过程。 仿真结果表明该模型可以很好地模拟SPAD的雪崩过程。
所属分类:
其它
发布日期:2020-06-03
文件大小:342016
提供者:
weixin_38699551
雪崩光电二极管应用特性的仿真研究
雪崩光电二极管应用特性的仿真研究,优秀范例
所属分类:
嵌入式
发布日期:2010-07-10
文件大小:327680
提供者:
yuanlaiwang
如何解决Redis缓存雪崩、缓存穿透、缓存并发等5大难题.pdf
提供了解redis实践开过程中,所面对缓存雪崩 缓存穿透 缓存并发的处理方案,同时这些个问题也是面试的经典问题,有助提升开发者的知识视野
所属分类:
Web服务器
发布日期:2020-06-29
文件大小:291840
提供者:
fdxganli
雪崩二极管原理_雪崩二极管作用
雪崩二极管原理 雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压,使得空间电荷区展宽,从N+P结处一直展宽到IP+结处。整个空间电荷区的电场在N+P处最大。假定在N+P结附近一个小区域内,电场强度超过了击穿电场,则在这个区域内就发生雪崩击穿。发生雪崩击穿的这一区域称为雪崩区。在雪崩区以外,由于电场强度较低,因而不发生雪崩击穿。载流子只在电场作用下以一定的速度作漂移运动。载流子作漂移运动的区域称为漂移区。载流子通过漂
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:82944
提供者:
weixin_38736652
雪崩光电二极管的工作原理
概念 在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后,射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”(即光电流成倍地激增)的现象,因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。 主要特性 ①雪崩增益系数M(也叫倍增因子),对突变结式中V为反向偏压,VB为体雪崩击穿电压;n与材料、器件结构及入射波长等有关,为常数,其值为1~3。 ②增益带宽积,增益较大且频率很高时,M(ω)·ω式中ω为角频率;N为常数,它随离化系数比缓慢变化;W为耗尽
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:118784
提供者:
weixin_38747025
雪崩二极管 什么是雪崩二极管
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:20480
提供者:
weixin_38633083
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