霍尔效应IC作为接近传感器，用于接近检测和旋转机构的角速度测量等应用。霍尔效应器件可以在没有机械接触情况下检测机械旋转。这种无害检测是基于霍尔效应的磁特性。沿Y方向流经一个半导体的电流会在X方向产生一个可忽略的电势差（图1）。当电流的右向（Z向）存在一个磁场时，X方向的半导体上就出现一个位移电压。这个效应就是霍尔电压VH。 霍尔效应IC对电位移作检测、信号调整并增加迟滞。基本上，该器件是测量半导体上沿X方向由磁场产生的电场。因此，如果你将半导体置于一个X方向有足够振幅的电场中，霍尔效应器件也可

霍尔效应IC作为接近传感器，用于接近检测和旋转机构的角速度测量等应用。霍尔效应器件可以在没有机械接触情况下检测机械旋转。这种无害检测是基于霍尔效应的磁特性。沿Y方向流经一个半导体的电流会在X方向产生一个可忽略的电势差（图1）。当电流的右向（Z向）存在一个磁场时，X方向的半导体上就出现一个位移电压。这个效应就是霍尔电压VH。 　　霍尔效应IC对电位移作检测、信号调整并增加迟滞。基本上，该器件是测量半导体上沿X方向由磁场产生的电场。因此，如果你将半导体置于一个X方向有足够振幅的电场中，霍尔效应

霍尔效应IC作为接近传感器，用于接近检测和旋转机构的角速度测量等应用。霍尔效应器件可以在没有机械接触情况下检测机械旋转。这种无害检测是基于霍尔效应的磁特性。沿Y方向流经一个半导体的电流会在X方向产生一个可忽略的电势差（图1）。当电流的右向（Z向）存在一个磁场时，X方向的半导体上就出现一个位移电压。这个效应就是霍尔电压VH。 　　霍尔效应IC对电位移作检测、信号调整并增加迟滞。基本上，该器件是测量半导体上沿X方向由磁场产生的电场。因此，如果你将半导体置于一个X方向有足够振幅的电场中，霍尔效应

霍尔效应IC作为接近传感器，用于接近检测和旋转机构的角速度测量等应用。霍尔效应器件可以在没有机械接触情况下检测机械旋转。这种无害检测是基于霍尔效应的磁特性。沿Y方向流经一个半导体的电流会在X方向产生一个可忽略的电势差（图1）。当电流的右向（Z向）存在一个磁场时，X方向的半导体上就出现一个位移电压。这个效应就是霍尔电压VH。     霍尔效应IC对电位移作检测、信号调整并增加迟滞。基本上，该器件是测量半导体上沿X方向由磁场产生的电场。因此，如果你将半导体置于一个X方向有足够振幅的电场中，霍尔效应