为了制备高输出功率的半导体激光器，设计了非对称超大光腔波导结构，其中大光腔结构用以提高器件的灾变性腔面烧毁(COMD)水平，非对称波导则抑制高阶模的激射，并分析了非对称波导层厚度的理论优化值。优化了有源区的金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长条件，结合管芯电极制备及腔面镀膜等工艺条件，制备了腔长为4 mm的2 μm超大光腔端面发射980 nm半导体激光器管芯。在室温、注入电流为30 A且未采取任何主动散热措施的条件下，器件输出功率达到23.6 W，未出现COMD。非对称波导保证了垂直方向