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搜索资源列表

  1. 24c02程序 C语言 单片机

  2. 24c02程序 C语言 单片机 EEPROM 掉电保存 非挥发性存储

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2016-09-19
    • 文件大小：2048
    • 提供者：u012308586

  1. TSS.MSR, 微软研究中的TPM软件栈.zip

  2. TSS.MSR, 微软研究中的TPM软件栈 TSS.MSR微软的软件栈( )TPM或者可信平台模块是在许多pc和移动设备中发现的安全组件。 TPMs在以下领域提供安全功能：加密密钥生成。保护。管理和使用加密设备标识安全日志记录和日志报告，换句话说，认证安全非挥发性存储

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-18
    • 文件大小：22020096
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 迎接混合式硬盘 Vista提升用户体验

  2. hybrid是一种数据存储设备：一种结合传统硬盘与非挥发性Flash内存缓冲区的新技术。它更耐用、热能产生较少，且更省电。本文介绍了使用混合式硬盘(hybrid drive)的好处，分析了hybrid存在的问题。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：25600
    • 提供者：weixin_38595473

  1. 近化学计量比Mn:Fe:LiNbO3晶体的非挥发性全息存储性能研究

  2. 近化学计量比Mn:Fe:LiNbO3晶体的非挥发性全息存储性能研究，方双全，乔英杰，本文分别利用顶部籽晶助熔剂方法（TSSG）与提拉法（CZ）法生长了锰铁双掺近化学计量比（Mn:Fe:SLN）与同成份铌酸锂晶体（Mn:Fe:CLN）。通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-06
    • 文件大小：172032
    • 提供者：weixin_38552292

  1. 欧泰 低功耗GPS 接受模块COM-1283用户手册.pdf

  2. 欧泰 低功耗GPS 接受模块COM-1283用户手册pdf,欧泰 低功耗GPS 接受模块COM-1283用户手册常规 下面的列岀的表格被使用于整篇导读。 第一章产品简介 模块拥有一个低功耗路并行追踪接收器,位可编程数字和三个串行端口。 整个模块以一个低功耗 接收器为基础,并配备用于系统扩充的总线端口。该模块专 为在宽温环境下运冇而设计,如:车载或移动应用。表面贴装元件的大量使用,有效提高∫模块的可靠性。现 代化的芯片的引用,使得模块功能得到了最大程度的集成,并可灵活配置用以满足各种不冋的客户使

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-20
    • 文件大小：547840
    • 提供者：weixin_38743968

  1. 嵌入式存储器基于不同存储单元的设计方案汇总

  2. 在嵌入式系统中，存储资源是非常宝贵的。一些芯片，尤其是超大规模集成电路和低端微处理器可能仅有很少的板载内存。RAM直接建于芯片内部，因此无法扩展。嵌入式快闪存储器是从EPROM和EEPROM发展而来的非挥发性存储集成电路，其主要特点是工作速度快、单元面积小、集成度高、可靠性好、可重复擦写10万次以上，数据可靠保持超过10年。本文为大家介绍嵌入式存储器基于不同存储单元的设计方案。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-04
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38630463

  1. 基础电子中的NAND FLASH 调研和选型

  2. 闪存简介 　　闪存是可通过电擦写和重编程的非挥发性计算机存储器。闪存技术主要应用在计算机和其他数字设备间传输数据的存储卡和USB盘上。它是一种可用大块擦写和重编程技术访问的特殊类型的EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）。闪存不需要电源维持芯片内保存的数据。另外闪存相比硬盘有数倍的访问速度并且更抗震动。它可以经受很大的压力，极端的温度，甚至可以浸泡在水中仍然保持可用。 　　FLASH MEMORY主要采用两种规格

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：207872
    • 提供者：weixin_38644688

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的Velocity LP NV-RAM 为相变存储器提供无缝架构途径

  2. 恒忆推出 Velocity LPTM NV-RAM 产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率 （LPDDR） 非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆 Velocity LP NV-RAM 系列的推出为该公司未来相变存储器 （PCM） 产品提供了无缝的绝佳架构途径。 　　相变存储器（P

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38562492

  1. 存储/缓存技术中的MB85R4M2T:具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片

  2. 导读：近日，富士通半导体宣布推出一款全新的4 Mbit FRAM芯片--MB85R4M2T,新器件具备非挥发性数据储存功能，并且可与标准低功耗SRAM兼容，MB85R4M2T的推出取代了原有具备高速数据写入功能的SRAM. 　　富士通半导体近日宣布推出一款全新的4 Mbit FRAM芯片--MB85R4M2T,新器件具备非挥发性数据储存功能，并且可与标准低功耗SRAM兼容，MB85R4M2T的推出取代了原有具备高速数据写入功能的SRAM. 　　主要特点： 　　1）可与标准低功耗SRAM兼容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38660624

  1. 存储/缓存技术中的富士通半导体开发出全新FRAM器件MB85RC1MT

  2. 导读：日前，富士通半导体（上海）有限公司开发出一款全新FRAM器件MB85RC1MT.此器件拥有1Mb内存，是富士通半导体所有I2C串行接口产品中最高内存容量的产品。 　　据悉，MB85RC1MT拥有128K字符X8位的1Mb内存，可在摄氏零下40度至85度的温度范围以1.8V至3.3V工作电压运作，可支持3.4MHz的“高速”操作模式，并可在与传统EEPROM相同的1MHz环境进行读写数据作业。其一万亿次写入/擦除周期可满足需要经常重复写入数据之应用，如：工厂自动化控制、测验仪器及工业设备等

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38682076

  1. 计算机存储器的层次

  2. 了兼顾存储容量和存储速度，当前计算机几乎毫无例外地采用了如图所示的层次式存储结构。 　　在图中，以处理器为中心，计算机系统的存储依次为寄存器、高速缓存、主存储器、磁盘缓存、磁盘和可移动存储介质等7个层次。距离处理器越近的存储工作速度越高，容量越小。其中，寄存器、高速缓存、主存储器为操作系统存储管理的管辖范围，磁盘和可移动存储介质属于操作系统设备管理的管辖范围。 　　图 计算机系统存储层次 　　凡是属于操作系统存储管理范围的存储装置的共同特点是，在系统掉电之后，它们所存储的信息会丢失殆尽

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38666114

  1. 恒忆新推非挥发性存储器Velocity LP NV-RAM系列

  2. 恒忆 (Numonyx) 宣布推出 Velocity LP NV-RAM 产品系列，此系列是最快速的低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) 非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆 Velocity LP NV-RAM 系列的推出为该公司未来相变存储器 (PCM) 产品提供了无缝的绝佳架构途径。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38748210

  1. Saifun 推出2Mb 串行EEPROM

  2. Saifun Semiconductors宣布进一步扩展其高密度EEPROM产品系列的阵容，推出全新SA25C020 2Mb SPI EEPROM，是业界首个结合小型SO8封装、低功耗和高性能特点的器件。Saifun的串行EEPROM产品专为需要高耐用性和低功耗的应用而设计和测试，针对持续可靠的非挥发性存储方案。 2M EEPROM推出的价位接近闪存 (Flash)，加上其节省空间的封装形式，将有助于新应用的实现，如硬盘、光盘 (包括DVD)、机顶盒、打印机、游戏卡，以及无线产品。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38577200

  1. 基于EEPROM单元的阵列式灵敏放大器的设计

  2. 摘要：本文通过使用already-on(native)元件所提出的阵列式灵敏放大器的改进结构，虽然该结构会使版图的面积增大，芯片的成本增加；但在它处于低功耗模式时，可有效的感应位线上更小的充电电流。并且在没有其它功耗增加的基础上，性能却得到了提高。并且它的设计简单，在具体的工艺过程中很容易实现。　　关键词：EEPROM单元；阵列式灵敏放大器；Already-on(native)元件 1介绍 　　非挥发性存储器EEPROM由于在电源消失后，存储后的数据依然存在，且擦除简单的特点。使得EEPRO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-07
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38522552

  1. 延长EEPROM使用寿命的方法

  2. 来源：单片机及嵌入式系统应用  作者：李维平 张涛 丁振君     EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read一Only Memory)即电子擦除式只读存储器，它是一种非挥发性存储器，与擦除式只读存储器(EPROM)类似，电源消失后，储存的数据依然存在，要消除储存在其中的内容，不是用紫外线照射方式，而是以电子信号直接消除即可。    正是由于EEPROM具有以上特点，该器件可广泛应用于对数据存储安全性及可靠性要求高的应用场合，如门禁考勤系统，测

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：222208
    • 提供者：weixin_38688352

  1. 由导电聚合物和氧化石墨烯进行全溶液处理的透明非易失性和挥发性多功能存储设备

  2. 由导电聚合物和氧化石墨烯进行全溶液处理的透明非易失性和挥发性多功能存储设备

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38720653

  1. Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体的非挥发性存储

  2. 以Czochralski技术生长不同Li/Nb比Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体。测试晶体抗光散射能力,Li/Nb=1.38的Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光散射能力比Fe∶LiNbO3高一个数量级以上。以二波耦合光路,双波长(蓝光-红光)存储技术,测试晶体全息存储性能,结果表明双波长存储性能优于双色存储。双波长(蓝光-红光)(476nm)的光激载流子是空穴。Mn离子是浅能级,Fe离子是深能级。采用Li/Nb=0.94和1.05的Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储介质,以双波长(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38692666

  1. 光色效应(Fe,Mn):LiNbO

  2. 在双掺杂(Fe,Mn):LiNbO3晶体光色效应非挥发性全息存储实验中,观测到光束耦合作用导致的自增强和自衰减效应.根据这种自衍射效应,归纳了四种记录和光固定实验组合方案.实验结果表明,在记录和光固定过程中利用自增强效应得到的最高衍射效率为利用自衰减效应得到的衍射效率的两倍左右,说明在实际应用中必须考虑和利用自增强效应.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：140288
    • 提供者：weixin_38694355

  1. 双掺杂LiNbO

  2. 通过联立两中心带输运物质方程和双光束耦合波方程，建立了双掺杂LiNbO3晶体采用双色光（紫外敏化光和He-Ne记录光）实现非挥发性全息存储的动力学模型。理论上分析了深、浅两杂质中心的微观光学参量（包括敏化光的深中心和浅中心光激发系数、记录光的浅中心光激发系数以及深中心和浅中心的电子复合系数）对记录饱和衍射效率和固定衍射效率的影响。数值计算表明，在双掺杂LiNbO3晶体的非挥发性全息存储中，为了得到高的固定衍射效率，应该选择复合系数较大、记录光激发系数较高、敏化光激发系数较低的浅杂质中心以及敏化光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38748210

  1. 激光直写技术实现灰度浮雕新应用

  2. 早在20世纪60年代，S. R. Ovshinsky提出了硫系相变材料可以用于存储器领域，这类材料便广泛应用于市场。硫系相变材料由于具有晶态、非晶态的光学性能差异，已经成功应用于光存储媒介中；同时利用其晶态和沉积态导致的电阻差异，开发研制出非挥发性固态存储器。通过调节激光的功率，可以令硫系相变材料具有多层次的光学或者电学特征，这是未来制造相变光电器件的基础。研究人员通过实验方法证实了硫系相变材料的晶态和非晶态具有较好的抗腐蚀选择性；硫系相变材料的光学非线性吸收特性，能够有效突破衍射极限，实现纳米

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38692184
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