本文使用蒙特卡罗方法研究氮化镓[GaN]的特性。冲击电离被视为一种附加的散射机制，该机制由Keldysh公式描述，其参数通过将模拟结果与数值计算拟合来确定结果。 基于简化模型，计算并分析了两个载流子的速度超调和碰撞电离率的结果。 此外，我们获得了与碰撞电离相关的器件特性，即增益，噪声和带宽（电子注入和空穴注入的情况），并将其与已报道的实验数据和常规理论进行了比较。 此外，我们对比了GaN的模拟器件特性和几种常规材料的性能。