循环伏安法，计时电流图和电化学阻抗谱用于评估在预分解条件下草酸溶液中n型GaN的蚀刻，该蚀刻会导致在GaN表面形成凹坑。 使用多元曲线分辨率替代最小二乘模型分析计时电流图结果，表明法拉第电流随施加的偏置电压的增加而增加，充电电流取决于GaN薄膜的有效面积。 为了研究凹坑形成期间的电化学特性，我们将GaN工作电极/电解质界面处的参数（例如，电容和电阻）的变化与电解变量的参数映射相关联。 在相同的蚀刻条件下，观察到三个显着趋势：（i）随着施加偏压的增加，电容减小，电阻增加;（ii）随着草酸浓度的增加