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搜索资源 - 飞兆NPT沟道IGBT针对电磁加热应用提供最佳抗雪崩能力
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元器件应用中的飞兆NPT沟道IGBT针对电磁加热应用提供最佳抗雪崩能力..
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT结合最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。 FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低达10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N12
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-02
文件大小:59392
提供者:
weixin_38551059
飞兆NPT沟道IGBT针对电磁加热应用提供最佳抗雪崩能力
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT结合最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。 FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低达10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N12
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-01
文件大小:59392
提供者:
weixin_38655284