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搜索资源列表

  1. MSP-FET430UIF驱动

  2. MSP-FET430UIF 驱动 MSP-FET430U-JTAG 是利尔达公司开发的 USB 接口仿真调试工具。类似于先前并口调试工具，如 FET 仿真器， USB 接口调试工具使用 PC 机的 USB 接口与运行在 PC 上的调试软件（如， IAR' Embedded Workbench ）进行通信。采用标准 14 脚 JTAG 接口与 MSP430 芯片通信。 特性： ・ MSP调试接口，连接MSP430FLASH型芯片到PC的USB 接口 ・ 适用软件： IAR EW430 3.21或

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-06-19
    • 文件大小：50176
    • 提供者：zhlyz2003

  1. FET基础知识及其驱动(整理)

  2. 收集并整理了一些FET的资料，包括FET的基础知识，常用驱动FET的电路

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-07-29
    • 文件大小：210944
    • 提供者：cc3000c

  1. MOSFET驱动注意事项

  2. 在低电压（100V以下）驱动应用中，多使用MOSFET作为功率转换器件。随着电压的提高，MOSFET的优势也随着不明显，所以在高压的应用场合，多使用IGBT作为功能器件，该类器件的耐压可以做得较高，结合了FET和三极管的优点，它的导通电阻和开关速度不比MOSFET，所以器件本身的导通损耗和开关损耗都比较大，一般需要另加散热装置

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-10-14
    • 文件大小：165888
    • 提供者：guosheng5977

  1. msp 430uif驱动经验

  2. 让你节省一天时间的仿真器驱动技巧 430uif仿真器

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2016-04-13
    • 文件大小：105472
    • 提供者：qq_30911095

  1. 开关电源MOSFET的驱动技术详解

  2. 开关电源MOSFET的驱动技术详解，非常专业，收益匪浅！ 建议下载收藏

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2017-01-20
    • 文件大小：975872
    • 提供者：chinacrb

  1. MSP430通过MSP-FET下载

  2. MSP430通过MSP-FET下载工具 MSP-FET下载指导 1、打开TIUSBFET文件夹，根据电脑不同的系统，选择驱动安装。 2、解压FET-Pro430-Lite v3.3-1.rar，按照步骤一步一步点击下一步完成安装。 3、将工装一端连接电脑，一端连接设备。连接设备时，用白色线靠近的那端的第一个拼，对准Vcc引脚，按顺序插入。 打开设备管理器，检查是否出MSP-FET430的串口标识。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2018-05-23
    • 文件大小：20971520
    • 提供者：rongbinsu

  1. 关于MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点

  2. 我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候，有很多寄生参数，其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。寄生的源边感抗主要有两种来源，第一个就是晶圆DIE和封装之间的Bonding线的感抗，另外一个就是源边引脚到地的PCB走线的感抗（地是作为驱动电路的旁路电容和电源网络滤波网的返回路径）。在某些情况下，加入测量电流的小电阻也可能产生额外的感抗。 mos管是什么？ mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insul

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：322560
    • 提供者：weixin_38662213

  1. 一个用于驱动栅极驱动变压器的简单电路

  2. 与单开关反激式电路相比，双开关反激式电路的主要代价就是需要一个浮动的高侧驱动。一个栅极驱动变压器通常用于双开关反激式电路的高侧FET，而栅极驱动变压器的使用是需要一些技巧的。如果磁芯没有在每个周期内正确复位，那么它就有可能饱和。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：37888
    • 提供者：weixin_38519082

  1. 用双路大电流运放来驱动汽车 LED 灯

  2. 汽车应用要求输出发光二极管（LED）由具备短路保护功能且适用于LED驱动器的恒流源来驱动。该电流解决方案是一种离散度较大的问题解决法，具有放大器和比较器，可驱动场效应晶体管（FET）或集成的保护FET。这使该电路拥有保护功能，但成本更高且电路板占用空间更多。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-03
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38744902

  1. 低压驱动RF MEMS开关设计与模拟

  2. 近年来射频微电子系统(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到广泛关注,特别是MEMS开关构建的移相器与天线,是实现上万单元相控阵雷达的关键技术,在军事上有重要意义。在通信领域上亦凭借超低损耗、高隔离度、成本低等优势在手机上得到应用。然而RF MEMS开关普遍存在驱动电压高、开关时间长的问题,劣于FET场效应管开关和PIN二极管开关。相对于国外已取得的成果,国内的研究尚处于起步阶段。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-11
    • 文件大小：126976
    • 提供者：weixin_38567873

  1. LED驱动照明电源电路拓扑结构设计详解

  2. 图 1显示了三种基本的电源拓扑示例。在图1中，降压稳压器会通过改变MOSFET的开启时间来控制电流进入LED。电流感应可通过测量电阻器两端的电压获得，其中该电阻器应与LED串联。对该方法来说，重要的设计难题是如何驱动 MOSFET。从性价比的角度来说，推荐使用需要浮动栅极驱动的N通道场效应晶体管（FET）。这需要一个驱动变压器或浮动驱动电路（其可用于维持内部电压高于输入电压）。 图1还显示了备选的降压稳压器。在此电路中，MOSFET对接地进行驱动，从而大大降低了驱动电路要求。该电路可选择通过监

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-11
    • 文件大小：185344
    • 提供者：weixin_38588394

  1. MOS管驱动基础和时间功耗计算

  2. 由于MOSFET 驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管（FET）在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-10
    • 文件大小：188416
    • 提供者：weixin_38718434

  1. TI面向汽车安全推出支持集成型电源管理与CAN接口的电机驱动

  2. 日前，德州仪器 （TI） 宣布推出 3 款最新器件进一步丰富业界首个汽车电机驱动器系列，帮助 TI 客户设计符合 ISO26262 功能安全要求的汽车应用。该 DRV32xx-Q1 系列目前包含 4 款支持内建诊断功能的三相位无刷前置 FET 电机驱动器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-29
    • 文件大小：314368
    • 提供者：weixin_38536349

  1. 大功率LED驱动电源解决方案

  2. Powerint公司的LYTSwitch-4大功率LED驱动器系列产品LYT4221-4228/4321-4328集成了控制器和高压功率FET，控制器提供高功率因素和恒流输出，该LYTSwitch-4控制器包括一个振荡器、反馈（检测及逻辑）电路、5.9V稳压器、迟滞过热保护、频率抖动、逐周期电流限制、自动重启、电感校正、功率因数和恒定的电流控制。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-29
    • 文件大小：196608
    • 提供者：weixin_38558660

  1. 接口/总线/驱动中的MOS及MOS驱动电路基础总结

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。     下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。     MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38599712

  1. 接口/总线/驱动中的关于MOSFET管驱动电路总结

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。     1、MOS管种类和结构     MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。右图是这两种MOS管的符

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：149504
    • 提供者：weixin_38703906

  1. GaN FET的结构、驱动及应用综述

  2. 随着电力电子装置的小型化和轻量化，宽禁带半导体器件GaN FET优于Si器件的特性使其在电力电子领域的应用受到广泛关注。在GaN FET的发展中，其结构和驱动对其安全应用至关重要。首先介绍了目前GaN FET器件的主要结构、工作原理及其产品现状；其次，总结了其驱动电路的隔离方式、常用的分立式驱动电路和集成式驱动电路的结构及原理；最后，对GaN FET在电力电子领域的应用情况进行了概述。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：796672
    • 提供者：weixin_38518958

  1. 大功率LED驱动芯片XLT604及其电路应用

  2. XLT604是采用BICMOS工艺设计的PWM高效LED驱动控制芯片。它在输入电压从8V(DC)到450V(DC)范围内均能有效驱动高亮度LED。该芯片能以高达300kHz的固定频率驱动外部MOS-FET。且其频率可由外部电阻编程决定。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：134144
    • 提供者：weixin_38702110

  1. 高性能、可高压直接驱动MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

  2. NCP1396A/B为NCP1395的改进型。它包括一个最高500kHZ的压控振荡器，在必需悬浮驱动功能时龅控制模式有很大的灵活性，可执行多个反馈通道。由于采用高压IC技术，可直接驱动半桥应用的两个MOSFET，耐压最高达600V。保护特色中可以立即关断，也可以加一时段延迟，加人了布朗输出保护，光耦直接反馈。这对可靠的安全设计很重要，不需要更多的外加电路，可调死区时间防止任何频率下高低边两M0S－FET的共导。主要特色1）高频工作从50～500kHZ。2）600V高压浮动驱动器。3）死区时间从1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：283648
    • 提供者：weixin_38732811

  1. 基础电子中的MOS管驱动电路介绍及应用

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 　　下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　1 MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38682086
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