H桥驱动不错的选择h桥驱动芯片，驱动MOS管的首选

基于单片机的单相逆变器的软件编程设计。 本次是基于MOSFET管构建的逆变器软件编程设计，使用的核心器件为单片机AT89S52及功率驱动集成芯片IR2110。本课题使用单片机AT89S52通过编程产生50Hz的准正弦方波，为逆变器提供输出功率信号，去推动MOS功率管。本次设计采用的电路拓扑为单相全桥逆变电路，用两片IR2110驱动全桥电路，每片分别驱动上下MOSFET，其耐压为500V。IR2110用于驱动全桥逆变器用以控制MOSFET的通断，在IR2110的外围电路使用二极管和齐纳二极管防止

在功率变换装置中，根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式。美国 IR 公司生产的 IR2110 驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。   IR2110 引脚管 LO（引脚 1）：低端输出 COM（引脚 2）：公共端 Vcc（引脚 3）：低端固定电源电压 Nc（引脚 4）： 空端 Vs（引脚 5）：高端浮置电源偏移电压 VB （引脚 6）：高端浮置电源电压 HO（引脚 7）：高端输出 Nc（引脚 8）： 空端 VDD（引脚 9）：

1、引言 　　IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，从而成为当今电力电子行业的首选器件。 　　电力电子器件的发展