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  1. 单片机应用技术选编(7)

  2. 内容简介    《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇,其中全文编入的有113篇,摘要编入的397篇。全书共分八章,即单片机综合 应用技术;智能仪表与测试技术;网络、通信与数据传输;可靠性与抗干扰技术;控制系统 与功率接口技术;电源技术;实用设计;文章摘要。    本书具有重要实用价值,书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动,提高单片机应用技术水平,是从事单片机应用 开发技
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2010-05-19
    • 文件大小:13631488
    • 提供者:zgraeae
  1. 模拟技术中的高性能宽带低噪声放大器的研制

  2. 摘要:以薄膜混合集成电路为基础,采用AL2O3精细陶瓷做衬底和国际上较先进的共晶工艺,运用宽带内补偿网络和负反馈并用的设计方法,结合理论计算和仿真技术,实现了高指标C波段宽带低噪声放大器的设计,测试结果验证了设计的正确性,为高性能宽带低噪声放大器研制提供了新的设计依据和理论基础。   0 引言   在雷达射频接收系统中,对系统性能指标的要求越来越高,其中低噪声放大器是影响着整个接收系统的噪声指标的重要因素。与普通的放大器相比,低噪声放大器作用比较突出,一方面可以减少系统的杂波干扰,提高系统的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:727040
    • 提供者:weixin_38680764
  1. 高性能宽带低噪声放大器设计

  2. 以薄膜混合集成电路为基础,采用AL2O3精细陶瓷做衬底和国际上较先进的共晶工艺,运用宽带内补偿网络和负反馈并用的设计方法,结合理论计算和仿真技术,实现了高指标C波段宽带低噪声放大器的设计,测试结果验证了设计的正确性,为高性能宽带低噪声放大器研制提供了新的设计依据和理论基础。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:258048
    • 提供者:weixin_38717359
  1. 高性能宽带低噪声放大器的研制

  2. 以薄膜混合集成电路为基础,采用AL2O3精细陶瓷做衬底和国际上较先进的共晶工艺,运用宽带内补偿网络和负反馈并用的设计方法,结合理论计算和仿真技术,实现了高指标C波段宽带低噪声放大器的设计,测试结果验证了设计的正确性,为高性能宽带低噪声放大器研制提供了新的设计依据和理论基础。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:320512
    • 提供者:weixin_38623080
  1. 高性能宽带低噪声放大器的研制

  2. 摘要:以薄膜混合集成电路为基础,采用AL2O3精细陶瓷做衬底和国际上较先进的共晶工艺,运用宽带内补偿网络和负反馈并用的设计方法,结合理论计算和仿真技术,实现了高指标C波段宽带低噪声放大器的设计,测试结果验证了设计的正确性,为高性能宽带低噪声放大器研制提供了新的设计依据和理论基础。   0 引言   在雷达射频接收系统中,对系统性能指标的要求越来越高,其中低噪声放大器是影响着整个接收系统的噪声指标的重要因素。与普通的放大器相比,低噪声放大器作用比较突出,一方面可以减少系统的杂波干扰,提高系统的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38571878