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  1. 高性能S、C波段声表面波微波延迟线

  2. 随着晶片材料和半导体工艺技术水平的快速发展,本文作者通过扇型结构声表面波换能器的拓扑设计,晶片材料和制作工艺流程的优化设计,研制出S、C波段声表面波(SAW)微波延迟线,它比声体波(BAW)微波延迟线的结构、生产工艺流程更加简单,体积更小,延时精准度高、一致性好、可靠性高,更适合量产。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-29
    • 文件大小:271360
    • 提供者:weixin_38739164