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  1. 一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

  2. 采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：83968
    • 提供者：weixin_38500709

  1. 一种带隙基准源分段线性补偿的改进方法

  2. 为了减小带隙基准源的温度系数和提高温度补偿的灵活性，设计了一种改进型分段线性补偿方法。利用双极型晶体管的温度非线性在整个温度区域内产生7段不同斜率的补偿电流，通过电流模形式对基准电压的高阶温度分量进行叠加，进而对带隙基准电压实现精确温度补偿。基于0.25 μm BCD工艺设计了一款低温漂高精度的带隙基准源。HSPICE仿真结果表明，在5 V电源电压下，在-40 ℃～125 ℃温度范围内，基准电压的温度系数为0.37×10-6/℃，低频时电路的电源抑制比为-85 dB。电源电压在2 V～5 V范围

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：596992
    • 提供者：weixin_38589150

  1. 一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

  2. 设计一种以共源共栅电流镜为负载的低温漂高电源抑制比CMOS带隙基准电压源，利用新型核心电路和NMOS为输入管的套筒式共源共栅运算放大器使得带隙基准的输出温度系数远小于传统带隙基准的温度系数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：389120
    • 提供者：weixin_38696922

  1. 高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

  2. 设计并实现了一种新的高PSRR、低TC带隙基准源。重点研究了带隙基准源电源抑制能力，尤其是高频PSRR，达到宽频带范围PSRR高性能指标。采用0.35 μm BiCMOS工艺进行仿真，结果表明，PSRR在1 Hz频率下达-108.5 dB，在15 MHz频率下达-58.9 dB；采用二次温漂补偿电路使得带隙基准源常温下输出参考电压1.183 V，在-40 ℃~95 ℃温度范围内，温漂系数低达1.5 ppm/℃。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：394240
    • 提供者：weixin_38701407

  1. 电源技术中的一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

  2. 在A／D和D／A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性的基准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点，因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38714653

  1.  一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

  2. 介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：807936
    • 提供者：weixin_38677255

  1. 一种采用数字修调技术的低温漂带隙基准设计

  2. 基于tsmc0.25μm CMOS工艺，设计了一个采用数字修调技术的低温漂高PSRR带隙基准源。针对带隙基准结构中不可避免的由于工艺偏差而导致输出基准电压温度特性较差的问题，通过引入额外的PTAT电流来改变流过PNP的电流，进而补偿由于工艺角变化引起的带隙基准温度系数的改变，实现低温漂基准电压源。仿真结果表明，5 V电源电压下，在-50~+150 ℃，基准电压温度系数为3ppm/℃，与无数字修调的带隙基准相比，温度系数减小了5 ppm/℃。低频时电源抑制比为-90 dB，整体功耗电流约为60 μ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-27
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38515270

  1. 一种用于TCXO芯片的带隙基准及过温保护电路设计

  2. 基于BiCMOS工艺设计低温漂、高电源抑制比的自偏置带隙基准电压源及过温保护复合电路。带隙基准采用自偏置电流源和差分运放一体化结构，过温保护电路用NPN管采集电流大小实现振荡器的起振或关断。仿真结果表明：带隙恒为1.24 V，温度在-40 ℃到125 ℃变化时，输出变化不超过0.78 mV，复合电路电源抑制比高达95 dB；超温关断时间0.071 s，迟滞开启时间0.064 s，复合电路能为TCXO芯片提供稳定的基准参考和较好的过温保护效果，有很大的实用价值。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-26
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38628626