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  1. HVIC-DS-001G FD2501 Datasheet_V1.2(中文版发布20150818).pdf

  2. 高电压，高速栅极驱动器，能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。内置欠压保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD2501逻辑输入兼容TTL和CMOS，方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-05-23
    • 文件大小：694272
    • 提供者：harvey_song

  1. 高速栅极驱动器

  2. 高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，大多数类型的FET固有。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示为典型MOSFET电路符号中表示的体二极管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38664556

  1. 电源技术中的如何实现更高的系统效率——高速栅极驱动器

  2. 在此系列的第一部分中，讨论过高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器也可以实现相同的效果。 　　高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，大多数类型的FET固有。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示为典型MOSFET电路符号中表示的体二极管。 　　图1：MOSFET符号包括固有的体二极管 　　限制体二极管的导通时间将进而降低其两端所消耗的功率。这是因为当MOSFET处于导通状态时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_38651812

  1. 接口/总线/驱动中的飞兆半导体推出汽车级高速、低端栅极驱动器系列

  2. 使用功率MOSFET的汽车应用要求栅极驱动器具备高峰值驱动电流和低输出阻抗。来自飞兆半导体的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽车合格栅极驱动器为电源和其他高效MOSFET开关应用带来了灵活性，可提供大量功能和性能组合选择以创建紧凑、高效和可靠的设计。 　　这些符合AEC-Q100标准的驱动器采用SO8封装，提供TTL或CMOS输入阈值选项。 这样便可确保最佳的设计兼容性。 这些驱动器每个通道有两个输入（双输入（+和-逻辑），反相和使能或同相和使能），提供

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38605144

  1. 接口/总线/驱动中的飞兆提供1A至9A低端汽车用栅极驱动器

  2. 使用功率MOSFET的汽车应用要求栅极驱动器具备高峰值驱动电流和低输出阻抗。来自飞兆半导体的FAN31xx_F085和FAN32xx_F085系列高速、低端汽车合格栅极驱动器为电源和其他高效MOSFET开关应用带来了灵活性，可提供大量功能和性能组合选择以创建紧凑、高效和可靠的设计。 　　这些符合AEC-Q100标准的驱动器采用SO8封装，提供TTL或CMOS输入阈值选项。 这样便可确保最佳的设计兼容性。 这些驱动器每个通道有两个输入（双输入（+和-逻辑），反相和使能或同相和使能），提供了设计灵

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38625448

  1. 30V/4A 半桥驱动器 NJW4800 特性/数据下载

  2. NJW4800是一款能提供4A 电流的通用半桥驱动器。内置的栅极驱动器能驱动高端和低端的功率MOSFET，所以能够实现高速开关动作。搭载有过电流保护、过热关机等保护功能，在异常发生时，能够输出FAULT 信号。本产品最适于微处理器、DSP等由逻辑信号来进行功率开关动作的应用。 　　产品特点 　　NJW4800是一款内置了输出用功率MOSFET和安全设计必须的过热停机电路，过电流保护电路、低电压错误防止电路的通用半桥驱动器。 　　特点1　和微处理器/DSP组合使用，更容易实现功率开关控制

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：100352
    • 提供者：weixin_38713306

  1. 凌力尔推出高速同步 MOSFET 驱动器

  2. 凌力尔特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器。 　　LTC4449 在 4V 至 6.5V 范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极，以高达 38V 的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收高达 4.5A 电流和提供 3.2A 电流，从而

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38724247

  1. IR新型三相栅极电机驱动ICIRA233x

  2. 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新款三相栅极驱动IC系列产品IRA233x(D) ，主要应用于包括永磁电机驱动的空调、洗衣机、泵和电风扇，以及微型、迷你型和通用变频器驱动在内的高、中和低压电机驱动应用。    　　IRS233x(D) 是一款采用参考输出通道的高压、高速功率MOSFET和IGBT三相桥驱动器，在高达20V MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下，可提供200mA/420mA的驱动电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38668776

  1. 电源技术中的100V高速同步N 沟道3A MOSFET驱动器用于高效DC/DC 转换器

  2. 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。这个驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司的很多 DC/DC 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。　　这个强大的驱动器可采用 1.2Ω 的下拉阻抗和提供高达 2.5A 的电流以驱动高端 MOSFET，而采用 0.55Ω 下拉阻抗可提供 3A 电流以驱

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38712908

  1. Zetex发布全新双极栅极驱动器ZXGD3000

  2. Zetex Semiconductors(捷特科)推出全新ZXGD3000双极栅极驱动器系列，用于开关电源和电机驱动器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高达9A的电流，栅极电容的充、放电速度比栅极驱动器IC更快，有助于加快开关时间，提高电路效率。 　　该系列包含4款高速非反向栅极驱动器，电源电压范围为12V至40V。其快速开关射极跟随器配置，实现了小于2ns的传播延迟和大约10ns的上升/下降时间，有效改善了对MOSFET开关性能的控制。ZXGD3000还能防止锁定

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38696339

  1. Maxim推出高速单/双通道MOSFET驱动器MAX15024/15025

  2. Maxim推出MAX15024/MAX15025高速、单/双通道MOSFET驱动器，采用3mm x 3mm、增强散热的TDFN封装。MAX15024是单通道栅极驱动器，能够吸入8A峰值电流、源出4A峰值电流。MAX15025是双通道栅极驱动器，能够吸入和源出高达4A的峰值电流。两款器件的通道间传输延时匹配的典型值为2ns，器件之间的传输延时匹配通常小于17ns。器件内置可调节LDO，用于栅极驱动振幅控制和优化。MAX15024/MAX15025是功率MOSFET开关、发动机控制和结构紧凑的高频开

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38606404

  1. Maxim推出内置可调节LDO的单/双通道MOSFET驱动器

  2. Maxim推出MAX15024/MAX15025高速、单/双通道MOSFET驱动器，采用3mmx3mm、增强散热的TDFN封装。MAX15024是单通道栅极驱动器，能够吸入8A峰值电流、源出4A峰值电流。 　　MAX15025是双通道栅极驱动器，能够吸入和源出高达4A的峰值电流。两款器件的通道间传输延时匹配的典型值为2ns，器件之间的传输延时匹配通常小于17ns。器件内置可调节LDO，用于栅极驱动振幅控制和优化。MAX15024/MAX15025是功率MOSFET开关、发动机控制和结构紧凑的高

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38716423

  1. Linear推出高端/低端N沟道高速MOSFET驱动器LTC4446

  2. 凌力尔特公司(Linear)推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET驱动器 LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的DC/DC控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。 　　这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流，而以 0.55Ω 下拉阻抗驱动同步 MOSFET 时可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38700240

  1. Zetex开发出双极栅极驱动器ZXGD3000系列

  2. Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000双极栅极驱动器系列，用于开关电源和电机驱动器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高达9A的电流，栅极电容的充、放电速度比栅极驱动器IC更快，有助于加快开关时间，提高电路效率。 　　该系列包含4款高速非反向栅极驱动器，电源电压范围为12V至40V。其快速开关射极跟随器配置，实现了小于2ns的传播延迟和大约10ns的上升/下降时间，有效改善了对MOSFET开关性能的控制。ZXGD3000还能防

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38629873

  1. 德州仪器推出4A高速MOSFET驱动器，有效简化电源设计

  2. 德州仪器(TI)推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器TPS28225。该款2MHz驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块(VRM)设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率要求极高的DC/DC转换器等。 　　TI的TPS28225驱动器以4.5V至8.8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁干扰(EMI)，在7V至8V电压范围内，每相位电流超过40A时器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38675777

  1. Vishay发布新型MOSFET IGBT驱动器VO3150

  2. Vishay正在向其光电子产品系列中添加一款 0.5A MOSFET/IGBT 驱动器，该器件的最大低电平输出电压为 1.0V，因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与 IGBT/MOSFET 驱动器的隔离式解决方案 － 新型 VO3150 － 在工业及消费类应用中非常适用于额定电压及电流分别高达为 1200V 及 50A 直接驱动的 IGBT。 　　采用 8 引脚 DIP 封装的 VO3150可节省终端产品中的板面空间，这些产品包括不间断电源、交流及无刷直流电动机驱动、工业逆

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38584058

  1. TI推出最高效率4A高速MOSFET驱动器TPS28225

  2. TI宣布推出一款针对 N 通道互补驱动功率 MOSFET 的 4A 高速同步驱动器。该款 2MHz 驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块 (VRM) 设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率要求极高的 DC/DC 转换器等。 　　TI 的 TPS28225 驱动器以 4.5V 至 8.8V 电压控制 MOSFET 栅极，从而实现了高效率和低电磁干扰 (EMI)，在 7V 至 8V 电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225 实现了 14ns

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38645266

  1. TI 推出4A高速MOSFET驱动器

  2. 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款针对 N 通道互补驱动功率MOSFET 的 4A高速同步驱动器。该款 2MHz 驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块 (VRM) 设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率要求极高的 DC/DC 转换器等。 TI 的 TPS28225 驱动器以 4.5V 至 8.8V 电压控制 MOSFET 栅极，从而实现了高效率和低电磁干扰 (EMI)，在 7V 至 8V 电压范围内时，器件效率达到最高。TPS2822

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38673548

  1. IR 高速栅极驱动集成电路

  2. IR日前发布了一系列带有完备保护功能的高压IGBT控制集成电路。与基于光耦或变压器的分立元件的传统方案相比，新方案除了功能先进之外，噪声免疫力更高，并将使用元器件数减少30%，占用的电路板面积缩减一半。新推出的IC系列包括1200V及600V的栅极驱动集成电路及电流传感接口集成电路，应用领域为换向电机驱动器、通用换向电路、开关电源SMPS和不间断电源UPS。 　　IR中国及香港销售总监严国富指出：采用IR高压IC技术开发的新型栅极驱动及传感IC实现了在微小电路上整合过去只有高端设备才具备的完备

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38653443

  1. 如何实现更高的系统效率——高速栅极驱动器

  2. 在此系列的部分中，讨论过高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器也可以实现相同的效果。 　　高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，大多数类型的FET固有。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示为典型MOSFET电路符号中表示的体二极管。 　　图1：MOSFET符号包括固有的体二极管 　　限制体二极管的导通时间将进而降低其两端所消耗的功率。这是因为当MOSFET处于导通状态时，体

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38697979
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