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搜索资源列表

  1. 功率MOSFET高速驱动电路的研究

  2. 介绍了一种输出电流大、带负载能力强的MOSFET 高速驱动电路。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-06-05
    • 文件大小：97280
    • 提供者：chenyun1218

  1. 高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南,高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南

  2. 高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南,高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-03-18
    • 文件大小：353280
    • 提供者：fanshowtime

  1. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  2. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用，其中有解释和说明

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-03-05
    • 文件大小：133120
    • 提供者：zuoshouge2009

  1. MOSFET驱动设计与应用

  2. 英文文档，对于高速MOSFET驱动电路应用介绍的非常全面，step by step，非常适合电力电子工程师在MOSFET硬件驱动开发作参考。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-09-11
    • 文件大小：472064
    • 提供者：yanghongmic

  1. 高速MOSFET门极驱动电路的设计应用指南(有图完整版)

  2. MOSFET驱动电路设计指导，非常详尽，非常有用

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2014-12-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：yyx082827

  1. 高速MOSFET设计资料

  2. 一部分为国外经典高速MOSFET电路设计资料，一部分为高压门级驱动应用手册。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-02-11
    • 文件大小：510976
    • 提供者：coool29

  1. MC33816高速电磁阀驱动芯片

  2. The 33816 is a SMARTMOS programmable gate driver IC for precision solenoid control applications. The IC consists of five external MOSFET high-side pre-drivers and seven external MOSFET low-side pre-drivers. The 33816 provides a flexible solution for

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2018-07-05
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：a746947037

  1. SiC MOSFET隔离式高速驱动电路设计

  2. SiC MOSFET隔离式高速驱动电路设计，李刚，高强，近年来随着宽禁带器件的逐步商业化，其市场占有率迅速攀升。为了充分体现SiC器件的优势，本文以高温石油井下参数测量系统为背景，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-23
    • 文件大小：385024
    • 提供者：weixin_38723192

  1. 高速栅极驱动器

  2. 高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，大多数类型的FET固有。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示为典型MOSFET电路符号中表示的体二极管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38664556

  1. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  2. 随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单，高效，快速的驱动芯片。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-30
    • 文件大小：150528
    • 提供者：weixin_38731239

  1. 基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路设计

  2. 本文介绍了高速双MOSFET驱动器MC34152的内部结构、工作原理以及由MC34152与CMOS逻辑器件组成的软开关变换器驱动电路的设计。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38722721

  1. MOSFET隔离型高速驱动电路，具体的驱动方案

  2. MOSFET隔离型高速驱动电路，具体的驱动方案

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-03-02
    • 文件大小：400384
    • 提供者：zuoshouge2009

  1. 电源技术中的高速面阵CCD KAI-01050 功率驱动电路的设计方案

  2. 摘要：KAI-01050是KODAK公司生产的最高帧频可达120 f/s的高速面阵CCD.本方案针对其驱动信号特点，详细介绍CCD各部分功率驱动电路设计。 　　此CCD功率驱动电路的难点包括40 MHz高速水平转移和复位时钟驱动、三电平阶梯波形垂直转移时钟V1和高压脉冲电子快门信号驱动设计。利用高速时钟驱动器ISL55110和钳位电路实现了高速水平转移时钟的驱动；利用两个高速MOSFET驱动器组合的方案，实现了三电平阶梯波形垂直转移时钟V1的驱动；利用两个互补高速三极管轮流开关工作实现了高压脉

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：285696
    • 提供者：weixin_38517904

  1. 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

  2. 随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，性能也获得到了很大地提高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：209920
    • 提供者：weixin_38705873

  1. 元器件应用中的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器FOD3184简介

  2. FOD3184是一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品。FOD3184由铝砷化镓(AIGaAs)发光二极管和集成在电路功率级中带有PMOS和 NMOS输出功率晶体管的CMOS检测器以光学方式耦合构成，PMOS上拉晶体管具有低 RDS(ON)，能够降低内部功耗和提供接近轨对轨输出电压摆幅能力。该器件具有高抗噪能力，最低共模噪声抑制比(CMR)为35kV/?s，适合嘈杂的工业应用。 　　FOD3184采用8脚双列直插封装，提供>8.0mm的爬电距离(creepag

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38656662

  1. Linear推出高端/低端N沟道高速MOSFET驱动器LTC4446

  2. 凌力尔特公司(Linear)推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET驱动器 LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的DC/DC控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。 　　这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流，而以 0.55Ω 下拉阻抗驱动同步 MOSFET 时可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：43008
    • 提供者：weixin_38700240

  1. 德州仪器推出4A高速MOSFET驱动器，有效简化电源设计

  2. 德州仪器(TI)推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器TPS28225。该款2MHz驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块(VRM)设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率要求极高的DC/DC转换器等。 　　TI的TPS28225驱动器以4.5V至8.8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁干扰(EMI)，在7V至8V电压范围内，每相位电流超过40A时器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：78848
    • 提供者：weixin_38675777

  1. TI推出最高效率4A高速MOSFET驱动器TPS28225

  2. TI宣布推出一款针对 N 通道互补驱动功率 MOSFET 的 4A 高速同步驱动器。该款 2MHz 驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块 (VRM) 设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率要求极高的 DC/DC 转换器等。 　　TI 的 TPS28225 驱动器以 4.5V 至 8.8V 电压控制 MOSFET 栅极，从而实现了高效率和低电磁干扰 (EMI)，在 7V 至 8V 电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225 实现了 14ns

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38645266

  1. TI 推出4A高速MOSFET驱动器

  2. 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款针对 N 通道互补驱动功率MOSFET 的 4A高速同步驱动器。该款 2MHz 驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块 (VRM) 设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率要求极高的 DC/DC 转换器等。 TI 的 TPS28225 驱动器以 4.5V 至 8.8V 电压控制 MOSFET 栅极，从而实现了高效率和低电磁干扰 (EMI)，在 7V 至 8V 电压范围内时，器件效率达到最高。TPS2822

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38673548

  1. 用作超快速离子偏转板驱动器的MOSFET

  2. 图1所示的电路可在实验仪器中的一组大容量离子偏转板上提供20MHz方波。为了获得所需的偏转量，偏转板电压必须达到20～30V，远大于普通逻辑电路系列或驱动器系列所能提供的电压。为了减小人为寄生信号，上升时间和下降时间必须极短，过冲和波动最小。驱动偏转板的是两个相位相差180○的相同电路。这一驱动器使用Directed Energy公司（其网址为www.directedenergy.com）的DEIC420型高速MOSFET栅极驱动电路来驱动一个1000pF容性负载，驱动电压为0～25V，驱动时间

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38672815
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