使用规范/重力对偶，我们研究了强耦合系统中界面附近的电荷定位。 为此，我们考虑自上而下的全息模型并确定其电导率。 我们的模型对应于全息界面，该界面将电荷定位在（2 + 1）维系统中的（1 + 1）维缺陷周围。 该设置包括在有限温度和电荷密度下的D3 / D5交点。 我们在探测极限内工作，并考虑D5膜的大量嵌入，其中质量取决于场论空间方向之一，轮廓在负值和正值之间插值。 我们计算平行和垂直于界面方向的电导率。 对于后一种情况，我们能够将直流电导率表示为背景水平数据的函数。 在界面处，平行方向的直流