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搜索资源列表

  1. History of Semiconductor Engineering 半导体工程的历史

  2. 半导体工程的历史 History of Semiconductor Engineering Prologue 1 1 Research Organization: Bell Telephone Laboratories 11 2 Grown Junction and Diffused Transistors 41 3 Shockley Semiconductor Laboratories 67 4 Fairchild Semiconductor Corporation – Subsidiary

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-02-23
    • 文件大小：10485760
    • 提供者：chsi168

  1. p-n Junction Transistors -shockley

  2. 超经典的 shcokley的论文超经典的 shcokley的论文超经典的 shcokley的论文超经典的 shcokley的论文

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-03-16
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：qq_22569341

  1. Smart AD and DA Conversion

  2. The history of the application of semiconductors for controlling currents goes back all the way to 1926, in which Julius Lilienfeld filed a patent for a “Method and apparatus for controlling electric currents” [1], which is considered the first work

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2018-11-06
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：a_aple

  1. TLM测接触电阻非常详细

  2. TLM是测量欧姆接触电阻传统且成熟的方法。最初由Shockley提出，其测量结果较为精确。本文档对TLM测接触电阻的原理讲解较为详细，准确，通俗易懂。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-03-05
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_43096886

  1. matlab开发-ShockleyQueisser

  2. matlab开发-ShockleyQueisser。计算shockley-queisser效率限制的代码 数据文件

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-08-25
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 集成电路历史回眸

  2. 1946年1月，Bell实验室正式成立半导体研究小组, W. Schokley肖克莱，J. Bardeen巴丁、W. H. Brattain布拉顿。Bardeen提出了表面态理论， Schokley给出了实现放大器的基本设想，Brattain设计了实验。1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管 1956年诺贝尔物理学奖授予美国加利福尼亚州景山（Mountain View）贝克曼仪器公司半导体实验室的肖克莱（William Shockley，1910—19

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38553275

  1. MoS2（0001）薄膜中的表面受限量子阱态

  2. 表面 密闭的 量子阱 状态（scQWS）是一个 QWS 局限在 表面 的 薄膜 其电子能量小于电子的功函数 电影。 在大多数情况下，scQWS相当罕见 薄膜。 在这里，我们展示了scQWS在 薄膜 过渡金属二卤化钼，MoS 2 。 scQWS的特征被识别为2 H-MoS 2的整体间隙中的整体下行带分散 薄膜 在更大的结合能范围内这些scQWS还具有Shockley型 表面状态 具有反抛物线衰减到 电影 以及投影的对称（非对称）分布 电荷密度 在两个表面上 奇数层（偶数层） 电影。 我们在MoS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-20
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38733245

  1. 基于周期反转模式的表面暗电流抑制

  2. 为了抑制电子倍增CCD的表面暗电流,运用Shockley-Read-Hall理论解释了表面暗电流的产生过程,通过曲线拟合建立了表面暗电流的理论模型,定量分析了电子倍增CCD从反转模式切换到非反转模式后表面暗电流的恢复特征时间。根据这一时间特性提出了周期反转模式的概念,在信号积分期里对成像区时钟进行调制,加入周期反转脉冲,使器件以小于表面暗电流恢复特征时间的周期在反转与非反转模式之间切换。仿真结果表明,随着周期反转频率的提高,表面暗电流明显减小。当时钟周期为0.2 ms时,平均表面暗电流降低到0.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：692224
    • 提供者：weixin_38738511

  1. Excellent light-capture capability of trilobal SiNW for ultra-high

  2. Single-nanowire solar cells with a unique light-concentration property are expected to exceed the Shockley–Queisser limit. The architecture of single nanowire is an important factor to regulate its optical performance. We designed a trilobal silicon

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38618315

  1. LED非线性对基于正交频分复用可见光通信系统的影响

  2. 基于带有寄生参数的发光二极管（LED）Shockley方程，结合具有饱和特性的固态功率放大器的幅度传输模型，构建了可见光通信系统中LED的双向饱和非线性模型。基于该模型，通过蒙特卡洛仿真分析了LED非线性对采用正交频分复用（OFDM）的可见光通信系统（VLC）性能的影响。分析结果表明OFDM的VLC系统性能受LED I-V特性非线性、直流偏置电压、基带调制方式、调制信号切顶比率及方式的直接影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38508549