研究了从0.1到110 GHz的晶圆上S参数去嵌入技术。当输入和输出端口通过直通反射线（TRL）和线反射匹配（LRM）去嵌入算法时，其求解结果为在InP衬底上设计了TRL和LRM的去嵌入标准。通过两个无源元件证明了去嵌入结果的有效性，并比较了TRL和LRM去嵌入技术的准确性。从0.1到110 GHz。通过使用0.1-40 GHz的LRM技术和75-110 GHz的TRL技术，获得了有源器件HBT在两个频带中的固有S参数，并对提取的小信号进行了比较给出了去嵌入前后的电流增益和单边功率增益。通过插值