注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. FIC8120 datasheet

  2. FIC8120 适合于远程监控开发的高集成度SOC芯片，支持MPEG4和JPEG，功耗低，采用0.18um工艺

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-11-06
    • 文件大小：178176
    • 提供者：ZiXiM

  1. NUC501 中文手册

  2. 这个是nuc501的数据手册，这颗处理器包含下列特性：32-bit RISC CPU – ARM7TDMI@80MHz – 支持16-bit Thumb 模式节省代码大小 – 嵌入32 KB 内存分为16 段，方便软件编程 – 从 SpiMemory 或USB启动 – 在使用OTP key之前,通过JTAG将程序下载到SRAM – 为系统开发和调试，集成JTAG 端口支持 • 6KB内部ROM – Boot loader – 通过USB编程SpiFlash & OTP key 的ICP 3 •

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-02-26
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：wang_wcj

  1. SEP4020用户手册

  2. SEP4020 由东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心设计，使用0.18um 标准 CMOS 的工艺设计，内嵌ASIX CORE（32 位RISC 内核，兼容ARM720T，带8KB 指令数 据Cache 和全功能MMU），采用冯诺依曼结构，SEP4020 芯片中集成各种功能包括：

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-03-04
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：hugine

  1. Hspice 0.18um工艺库

  2. 这个是cmos 0.18um的工艺库文件，大家共享啊！

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-10-08
    • 文件大小：8192
    • 提供者：long_tian_xiao

  1. spice 0,18um库文件

  2. spice的0.18um库文件，自己更改一下里面的元器件路径即可使用~~~~

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-12-20
    • 文件大小：272384
    • 提供者：sivilar

  1. VLSI数字电路0.18um工艺全加器设计

  2. 全加器是算术运算电路运算中的基本单元，也是构成多位加法器的基本单元，介于加法器在算术运算电路当中的重要作用，使得全加器的设计显得十分重要。通常情况下，我们采用两种结构构成全加器电路，一种是由两个半加器组成，另一种为镜像结构。本文主要介绍一个镜象结构电路的一位全加器的设计，包括电路图，基于0.18CMOS工艺的版图，以及前端网表的仿真，后端版图的验证结果。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2014-03-27
    • 文件大小：1000448
    • 提供者：asdfasd242

  1. tsmc 0.18um pdk

  2. tsmc 0.18um pdk mmic design

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2015-01-18
    • 文件大小：332800
    • 提供者：qq_21543299

  1. 台积电的0.18um .lib文件

  2. 台积电的0.18um .lib文件

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2016-04-26
    • 文件大小：322560
    • 提供者：qq_27668313

  1. TSMC 0.18um工艺库

  2. 台积电的0.18um工艺库文件，这个文件也是我从CSDN上下载的，原文件名是mm018，下载后发现里面有些错误，经修改后可以正常使用，使用方法和NMOS PMOS模型名都有说明（原文件没有说明，我是从文件中找到的模型名，然后列了一些出来）

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2016-04-28
    • 文件大小：323584
    • 提供者：qq_27668313

  1. tsmc 0.18um ADS library

  2. TSMC 0.18um library for ADS software

  3. 所属分类：餐饮零售

    • 发布日期：2017-03-30
    • 文件大小：184320
    • 提供者：bluedix8

  1. OTA cmos 0.18 放大器设计

  2. 设计一个全差分运放，OTA，电压1.8V，工艺0.18um,闭环，有很快的相应速率

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-04-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_42041135

  1. tsmc CE018FG 180nm 0.18um arm cortex m0 官方示例工艺库 含.tlu .tluplus tech文件.zip

  2. tsmc CE018FG 180nm 0.18um工艺库。 arm cortex m0 官方示例工艺库。 含.tlu .tluplus tech文件.zip

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-07-05
    • 文件大小：123731968
    • 提供者：shu_rin

  1. 0.18um EEPROM Process Flow Introduction1.ppt

  2. 0.18um Floating Gate EEPROM Simple PROCESS FLOW Fully Embedded with SMIC 0.18um Logic Process 1.8v Logic Core + 3.3v/5v MV (Option) + 16v HV + EEPROM Integrate ROM + OTP + EEPROM on one chip Retrograde Twin Well + HVNW + Psub , 2P3M ~ 5M 31 Masks, 3

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-08-19
    • 文件大小：985088
    • 提供者：qq_20491393

  1. 台积电 0.18um .lib文件

  2. 台积电用于Hspice仿真的0.18um的工艺库文件

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2016-04-26
    • 文件大小：44032
    • 提供者：qq_27668313

  1. 模拟技术中的适用于中国超宽带标准的0. 18 um-CMOS单边带混频器设计

  2. UWB ( Ultra Wide Band)在短距下可以低功率进行高速数据传输， 被认为是最有发展前景的无线电技术之一。此外， UWB 作为基础通信技术， 在目前兴起的物联网应用中， 亦将发挥巨大的作用。 　　中国UWB 的频谱划分如图1所示。本文将针对6~ 9GH z频段展开研究。 图1  中国UWB频谱划分示意图 　　在UWB收发机中， SSB混频器担负着将模拟基带产生的信号搬移到规定高频频段并抑制镜像信号产生的任务。由于工作在大信号、频率高和超带宽的情况下， 电路对带宽、线性度、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38557896

  1. USB2.0 闪存盘控制芯片“优芯II 号”的特点及应用电路

  2. USB2.0 闪存盘控制芯片“优芯II 号”的特点及应用电路 深圳市朗科科技有限公司推出的采用0.18um CMOS 工艺的“优芯II 号”SB2.0 闪存盘控制芯片。在优芯II 号的应用中，除了必需的优芯II 号和闪存，只需要一个5V 到3.3V 的电压调整IC、一个12 兆赫兹晶体振 荡器和电压滤波电容就可以组成完整的系统，BOM 成

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：100352
    • 提供者：weixin_38656400

  1. 模拟技术中的一种0.18um 2.4GCMOS低噪声放大器的设计

  2. 1 引言 随着无线通信技术的小断发展，系统要求更高的集成度，更强的功能以及更低的功耗。同时，CMOS技术已经发展到深亚微米水平，使得CMOS器件的高频特性得到进一步改善，已经能与锗硅和砷化钾器件相媲美。另外，CMOS器件在功耗上占有优势，因此深亚微米的CMOS技术在无线通信体系中很有应用潜力。在射频接收机中，低噪声放大器(LNA)占有重要位置，他在放大输入的微弱信号的同时抑制伴随的噪声。因此，低噪声系数与高增益是LNA的两个重要指标，当然这两个指标还要与功耗、线性度、输入输出匹配及小工作电流时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38654382

  1. 基于SOI 0.18 um高PAE CMOS Class_E功率放大器

  2. 基于SOI 0.18 um高PAE CMOS Class_E功率放大器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-13
    • 文件大小：356352
    • 提供者：weixin_38516706

  1. 采用TSMC 0.18um CMOS工艺设计的2.4GHz WLAN功率放大器

  2. 采用TSMC 0.18um CMOS工艺设计的2.4GHz WLAN功率放大器、电子技术,开发板制作交流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：186368
    • 提供者：weixin_38683895

  1. 适用于中国超宽带标准的0. 18 um-CMOS单边带混频器设计

  2. UWB ( Ultra Wide Band)在短距下可以低功率进行高速数据传输， 被认为是有发展前景的无线电技术之一。此外， UWB 作为基础通信技术， 在目前兴起的物联网应用中， 亦将发挥巨大的作用。 　　中国UWB 的频谱划分如图1所示。本文将针对6~ 9GH z频段展开研究。 图1  中国UWB频谱划分示意图 　　在UWB收发机中， SSB混频器担负着将模拟基带产生的信号搬移到规定高频频段并抑制镜像信号产生的任务。由于工作在大信号、频率高和超带宽的情况下， 电路对带宽、线性度、增

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：75776
    • 提供者：weixin_38501916
« 12 3 4 »