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  1. 1.55 μm InGaAsP/InPDH激光器中的0.95 μm发光带与Auger复合

  2. 报道了在1.55 μm InGaAsP/InP激光器中发现的0.95 μm波长高能发光峰的一系列实验结果,并通过分析肯定了InGaAsP有源区的Auser复合是造成载流子向两侧inP限制层漏泄的主要原因,也是影响1.55 μm InGaAsP/InP DH激光器T0值的主要因素。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1028096
    • 提供者：weixin_38698018