美国麻省理工学院林肯实验室在同一衬底上将带45度反射面的16个（4×4)InGaAsΡ半导体激光器进行二维集成，得到室温连续总输出为270毫瓦。该激光器采用隐埋结构,谐振腔长150微米，激活区域的宽度为2微米,激活层厚0.2微米，衬底为p-InP。端面和反射面采用选择化学蚀刻制造。按装热沉前，14个的阈电流为11~14毫安，余下2个阈电流各为22.5和26.5毫安。安装热沉后，16个总驱动电流为1安,量子效率可达29%，元件间距为254微米。