这次会议于1976年1月12日至14日在美国犹他州盐湖城召幵，为期3天，参加者约200名，由美国光学学会和电气与电子工程师协会共同举办。会议两年举行一次，这是第三次。发表篇数，包括8篇截稿论文，共77篇；如按国别分类，则举办国美国56篇(其中贝耳电话研究所16篇)，占压倒多数，日本6篇，西德6篇，法国3篇，英国3篇，其他4篇。所及内容多半是使用GaAs或GaAs系的材料。