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  1. LBO晶体上1064 nm, 532 nm二倍频增透膜的制备和性能

  2. 采用电子束蒸发方法在三硼酸锂(LBO)晶体上制备了1064 nm, 532 nm二倍频增透膜。利用Lambda900分光光度计、MTS Nano Indenter纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力和激光损伤阈值进行了分析测试。结果表明, 通过多次实验, 不断改进薄膜沉积工艺条件, 在LBO晶体上获得了综合性能优异的二倍频增透膜。样品在1064 nm, 532 nm波长的剩余反射率分别为0.07%和0.16%, 薄膜粘附失效的临界附着力和激光损伤阈值分别为137.4
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:983040
    • 提供者:weixin_38538585