注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 6H-SiC衬底ICP图形化刻蚀技术研究

  2. 6H-SiC衬底ICP图形化刻蚀技术研究，韩铭浩，申人升，通过电子束蒸发设备，在6H-SiC单晶衬底上蒸镀金属Ni做为掩膜图形，利用光刻技术获得图形化Ni掩膜。采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-12
    • 文件大小：493568
    • 提供者：weixin_38705762