日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。
新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%，比2mm x 2mm占位面积的最接近的N沟道器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有N沟道器件中的导通电阻。
新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案多低18%，比2mm x 2mm占位面积的接近的N沟道器件多低6
