场效应晶体管简称FET，其主要利用场效应原理工作。场效应即改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。与双极型晶体管相比，FET的特点是输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小、温度性能好、抗辐照能力强、多功能，和制造工艺简单等。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等，是MOS大规模集成电路和MESFET超高速集成电路的基础器件。　　高性能信号处理解决方案供应商Analog Devices（ADI）  推出一款业界  快的场效应晶体