AlGaN具有宽的直接禁带，非常适合于制作紫外探测器。通过改变组份，AlGaN的禁带宽度可从3.4 eV(GaN) -6.2 eV(AlN),其截止波长可从365 nm(GaN)~200 nm(AlN)。与传统的硅探测器相比，AlGaN探测器具有日盲、紫外区高量子效率、低暗电流/低噪声等优点；与SiC相比，AlGaN具有吸收系数大、截止波长锐利、响应速度快、异质结易实现、响应波段可调等优点。