AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的阴极荧光特性，吴军，韩平，本工作利用化学气相淀积（CVD）方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功异质外延生长了4H-SiC薄膜；用X射线衍射（XRD）、拉曼散射（Raman）、阴极�

利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一; 室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC, 且随着生长温度的升高, SiC薄膜的CL发光效率提高。生长温度、反应气源中C/Si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AlN/Si(111)