本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究，研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、Al基元平均动能和AlN晶体表面极性的共同影响。当温差为60 ℃时， AlN晶体(0001)面生长速率小于(10-10)面，AlN以带状形式生长。将该工艺应用于AlN同质生长中，研究结果表明：温差为60 ℃时AlN晶体(0001)面呈现畴生长模式，该晶体质量最差；温差为35 ℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶流生长模式，该晶体质量最优；温差为20 ℃时AlN晶体(
