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  1. A novel AlGaNGaN high electron mobility transistors with the partial fixed positive charge in buffer layer

  2. A novel AlGaNGaN high electron mobility transistors with the partial fixed positive charge in buffer layer

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：762880
    • 提供者：weixin_38712908