先前我们已经报道过具有以Au / SiO2 / ZnO形式存在的具有金属绝缘体半导体（MIS）结构的ZnO基发光器件的起始电压至少为3.3 V的电泵浦随机激射（RL）。 在此，通过在上述MIS结构的器件中的SiO 2和ZnO膜之间插入类似于5nm厚的MoO 3层，RL起始电压减小到仅类似于2.6V，此外，输出光功率倍增。 这种提高的RL性能归因于通过MoO3中间层增强了向ZnO中的空穴注入，该中间层的特征在于低导电带，因此具有较大的功函。

Multi-wall carbon nanotubes (MWCNTs) coated with crystalline Au nanoparticles, TiO2 nanoclusters, andamorphous SiO2 nanoshells, to represent conductors, semiconductors, and insulators, respectively, wereembedded in transparent silica gel-glass. The c

在室温下用离子束溅射沉积工艺在石英基材上生成Au-SiO2复合薄膜。把生成薄膜从500～900 ℃(分别保温5 min)分五个不同温度进行退火处理。用X光衍射方法(XRD)对薄膜结构进行了测试,得到Au-SiO2纳米复合薄膜未退火(as-dep)和退火后的X射线衍射谱;透射电子显微镜(TEM)观察了经过700 ℃退火处理复合薄膜中Au粒子在薄膜中分布状态和颗粒大小。用分光计测试薄膜光吸收特性,吸收光谱范围为190～1000 nm,发现退火温度从500～700 ℃,光谱吸收峰有明显红移存在,而在更

制备壳厚为2~3nm，核尺寸为15、25、50nm的AuSiO